Плазменное травление гетероструктур на основе нитрида галлия при изготовлении оптоэлектронных устройств
Отработаны технологические режимы анизотропного травления многослойных структур на базе GaN для нужд современной оптоэлектроники с использованием комбинированного индукционно-емкостного разряда в смеси метана с водородом. Получена скорость травления до 100 нм/мин и селективность относительно S...
Saved in:
| Date: | 2006 |
|---|---|
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2006
|
| Series: | Физическая инженерия поверхности |
| Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98790 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Плазменное травление гетероструктур на основе нитрида галлия при изготовлении оптоэлектронных устройств / С.В. Дудин // Физическая инженерия поверхности. — 2006. — Т. 4, № 1-2. — С. 117–123. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |