Микроструктура межзеренных границ в поликристаллическом кремнии и ее влияние на перенос носителей заряда

Экспериментально исследованы микроструктура и морфология границ зерен поликристаллического кремния полученного разными способами. Поверхность зерен размером 100 – 300 мкм изобилует выступами и микропустотами размером ∼ 10 мкм. На межзеренных границах имеются скопления примесей, определяющие совмес...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2010
Hauptverfasser:	Абдурахманов, Б.М., Олимов, Л.О., Абдуразаков, Ф.
Format:	Artikel
Sprache:	Russian
Veröffentlicht:	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2010
Schriftenreihe:	Физическая инженерия поверхности
Online Zugang:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98848
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Микроструктура межзеренных границ в поликристаллическом кремнии и ее влияние на перенос носителей заряда / Б.М. Абдурахманов, Л.О. Олимов, Ф. Абдуразаков // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 1. — С. 72–76. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	irk-123456789-98848
record_format	dspace
spelling	irk-123456789-988482016-04-19T03:02:21Z Микроструктура межзеренных границ в поликристаллическом кремнии и ее влияние на перенос носителей заряда Абдурахманов, Б.М. Олимов, Л.О. Абдуразаков, Ф. Экспериментально исследованы микроструктура и морфология границ зерен поликристаллического кремния полученного разными способами. Поверхность зерен размером 100 – 300 мкм изобилует выступами и микропустотами размером ∼ 10 мкм. На межзеренных границах имеются скопления примесей, определяющие совместно с зарядовыми состояниями ход температурной зависимости удельного сопротивления поликристаллического кремния. Експериментально досліджена мікроструктура та морфологія границь зерен полікристалічного кремнію отриманого різними способами. Поверхня зерен розміром 100 – 300 мкм покрита численними виступами та мікропорожнечами розміром ∼ 10 мкм. На міжзерених границях присутні скупчення домішок, що визначають разом із зарядовими станами хід температурної залежності питомого опору полікристалічного кремнію. Experimentally studied the microstructure and morphology of grain boundaries of polycrystalline silicon obtained by different methods. The surface of the grain size of 100 – 300 microns is replete with bumps and micro-sized voids? ∼ 10 microns. In between the grain boundaries are accumulations of impurities that determine the charge states with the temperature dependence of resistivity of polycrystalline silicon. 2010 Article Микроструктура межзеренных границ в поликристаллическом кремнии и ее влияние на перенос носителей заряда / Б.М. Абдурахманов, Л.О. Олимов, Ф. Абдуразаков // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 1. — С. 72–76. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. 1999-8074 PACS: 61.82.Fk; 61.72.Mm; 73.61.-r; 73.63.-b; 68.55.Ln; 61.72.-y; 61.72.Ff; 61.72.Hh; 61.72.Qq; 61.72.S-; 61.72.sd; 61.72.sh; 64.75.Qr; 64.75.St; 68.37.-d; 73.90.+f. http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98848 ru Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Russian
description	Экспериментально исследованы микроструктура и морфология границ зерен поликристаллического кремния полученного разными способами. Поверхность зерен размером 100 – 300 мкм изобилует выступами и микропустотами размером ∼ 10 мкм. На межзеренных границах имеются скопления примесей, определяющие совместно с зарядовыми состояниями ход температурной зависимости удельного сопротивления поликристаллического кремния.
format	Article
author	Абдурахманов, Б.М. Олимов, Л.О. Абдуразаков, Ф.
spellingShingle	Абдурахманов, Б.М. Олимов, Л.О. Абдуразаков, Ф. Микроструктура межзеренных границ в поликристаллическом кремнии и ее влияние на перенос носителей заряда Физическая инженерия поверхности
author_facet	Абдурахманов, Б.М. Олимов, Л.О. Абдуразаков, Ф.
author_sort	Абдурахманов, Б.М.
title	Микроструктура межзеренных границ в поликристаллическом кремнии и ее влияние на перенос носителей заряда
title_short	Микроструктура межзеренных границ в поликристаллическом кремнии и ее влияние на перенос носителей заряда
title_full	Микроструктура межзеренных границ в поликристаллическом кремнии и ее влияние на перенос носителей заряда
title_fullStr	Микроструктура межзеренных границ в поликристаллическом кремнии и ее влияние на перенос носителей заряда
title_full_unstemmed	Микроструктура межзеренных границ в поликристаллическом кремнии и ее влияние на перенос носителей заряда
title_sort	микроструктура межзеренных границ в поликристаллическом кремнии и ее влияние на перенос носителей заряда
publisher	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
publishDate	2010
url	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98848
citation_txt	Микроструктура межзеренных границ в поликристаллическом кремнии и ее влияние на перенос носителей заряда / Б.М. Абдурахманов, Л.О. Олимов, Ф. Абдуразаков // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 1. — С. 72–76. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.
series	Физическая инженерия поверхности
work_keys_str_mv	AT abdurahmanovbm mikrostrukturamežzerennyhgranicvpolikristalličeskomkremniiieevliânienaperenosnositelejzarâda AT olimovlo mikrostrukturamežzerennyhgranicvpolikristalličeskomkremniiieevliânienaperenosnositelejzarâda AT abdurazakovf mikrostrukturamežzerennyhgranicvpolikristalličeskomkremniiieevliânienaperenosnositelejzarâda
first_indexed	2025-07-07T07:09:27Z
last_indexed	2025-07-07T07:09:27Z
_version_	1836971111805353984
fulltext	ФІП ФИП PSE, 2010, т. 8, № 1, vol. 8, No. 172 Межзеренные границы (МЗГ) в поликрис- таллических полупроводниках, в том числе, и в поликристаллическом кремнии (ПК) яв- ляются центрами скопления дефектов, и ос- таточных примесей из исходного сырья, а также легирующих примесей специально вводимых в ПК. Эти скопления создают ло- кализованные зарядовые состояния (ЗС) [1, 2]. Заполнение ЗС на МЗГ приводит к изме- нению высоты потенциальных барьеров, что существенно влияет на дрейф носителей за- ряда. Воздействие нагрева при технологичес- ких обработках или эксплуатации готовых полупроводниковых приборов на основе ПК структур может привести к существенному изменению степени заполнения ЗС на МЗГ и, следовательно, к изменению электропро- водности ПК. Количественная оценка этих процессов до сих пор остается нерешенной задачей. Данная работа посвящена исследо- ванию микроструктуры МЗГ и влияния ва- риации температуры в диапазоне 300 ÷ 800 К на электроперенос в ПК структурах. В качестве исследуемого материала выбра- ны образцы поликристаллического кремния р-типа проводимости, с удельным сопротив- лением ρ ∼ 1 Ом⋅см, полученные двумя мето- дами литья [3, 4], а также методом порош- ковой технологии [5]. Для исследования мик- роструктуры МЗГ использовался рентгено- спектральный микрозондовый анализ, а из- мерения удельного сопротивления (ρ) вели с PACS: 61.82.Fk; 61.72.Mm; 73.61.-r; 73.63.-b; 68.55.Ln; 61.72.-y; 61.72.Ff; 61.72.Hh; 61.72.Qq; 61.72.S-; 61.72.sd; 61.72.sh; 64.75.Qr; 64.75.St; 68.37.-d; 73.90.+f. МИКРОСТРУКТУРА МЕЖЗЕРЕННЫХ ГРАНИЦ В ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ КРЕМНИИ И ЕЕ ВЛИЯНИЕ НА ПЕРЕНОС НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА Б.М. Абдурахманов, Л.О. Олимов, Ф. Абдуразаков Андижанский государственный университет им. З.М. Бабура Узбекистан Поступила 11.02.2010 Экспериментально исследованы микроструктура и морфология границ зерен поликрис- таллического кремния полученного разными способами. Поверхность зерен размером 100 – 300 мкм изобилует выступами и микропустотами размером ∼ 10 мкм. На межзеренных границах имеются скопления примесей, определяющие совместно с зарядовыми состояниями ход тем- пературной зависимости удельного сопротивления поликристаллического кремния. Ключевые слова: поликристаллический кремний, микроструктура, зерна, межзеренные грани- цы, микропустота, кислородосодержащие комплексы, примеси, поверхность, металлические или металл-оксидные пленки, химический элемент, сегрегации, удельное сопротивление. Експериментально досліджена мікроструктура та морфологія границь зерен полікристалічного кремнію отриманого різними способами. Поверхня зерен розміром 100 – 300 мкм покрита численними виступами та мікропорожнечами розміром ∼ 10 мкм. На міжзерених границях присутні скупчення домішок, що визначають разом із зарядовими станами хід температурної залежності питомого опору полікристалічного кремнію. Ключові слова: полікристалічний кремній, мікроструктура, зерна, міжзернові границі, мікро- порожнеча, кисневовмісткі комплекси, домішки, поверхня, металеві або метал- оксидні плівки, хімічний елемент, сегрегації, питомий опір. Experimentally studied the microstructure and morphology of grain boundaries of polycrystalline silicon obtained by different methods. The surface of the grain size of 100 – 300 microns is replete with bumps and micro-sized voids? ∼ 10 microns. In between the grain boundaries are accumulations of impurities that determine the charge states with the temperature dependence of resistivity of polycrystalline silicon. Keywords: polycrystalline silicon, microstructure, grain, between grains boundaries, microvoids, oxygenated complexes, impurities, surface, metal or metal-oxide film, chemical element, segregation, resistivity. ФІП ФИП PSE, 2010, т. 8, № 1, vol. 8, No. 1 73 использованием модернизированного четы- рехзондового и Ван-дер-Пау методов. Изме- рения ρ проводились в полуавтоматическом режиме, как при повышении температуры от 300 К до 800 К, так и на этапе ее понижения, т.е. в процессе остывания образцов. Наряду с непрерывной автоматической записью из- менения измеряемой величины с изменени- ем температуры проводились и дискретные измерения при выдержке образцов при выб- ранной температуре в течение 5 мин. с точно- стью ±2 К. Известно, что локализация носителей на поверхностных состояниях МЗГ, а также про- текающие на них рекомбинационные процес- сы оказывают сильное влияние на основные электрофизические параметры образцов: проводимость, работу выхода и др. Изучение микроструктуры поверхностных состояний в межкристаллических областях дает возмож- ность объяснить их физические особенности и их влияние на диффузию и дрейф носите- лей заряда под влиянием внешнего электри- ческого поля. На рис. 1 приведена микрофотография МЗГ упомянутых образцов ПК. Видно, что поверхность зерен во всех случаях изобилует разнообразными сложными структурами. От- метим, что зерна с размером ∼ 100 ÷300 мкм обладают шероховатой поверхностью с раз- мерами выступов и микропустот < 10 мкм. Анализ химического состава поверхности зерен, т.е. непосредственно области МЗГ, по- казал наличие кислородосодержащих комп- лексов, табл. 1. Выяснено, что концентрация примесей увеличивается от ядра зерна до края его поверхности. Из табл. 1 видно, что образцы ПК, полу- ченные разными методами существенно от- личаются как содержанием кремния в облас- тях МЗГ так и составом и концентрацией в них других примесей, а именно, содержание кремния в МЗГ ПК, полученном порошковой технологией, – составляет всего 43,14%, в литом вторичном ПК содержание кремния на МЗГ – 70,65% и в образце литого ПК фирмы “Waсker” – 73,76%. Объем микропустот на единицу объема МЗГ у разных видов ПК так- же отличается и составляет от ∼ 23,6% до ∼ 53,4%. Из полученных данных следует, также, что при кристаллизации, т.е. формировании по- верхности зерен, в области МЗГ образуются металлические или металл-оксидные пленки из химических элементов, присутствующих в расплаве и вытесняемых при кристаллиза- ции за счет процессов сегрегации [1] из объе- ма на поверхность зерен. Полученные данные коррелируют с современными представле- ниями о конфигурации и структуре зерен и МЗГ, изложенными в [1] и развитыми авто- ром в [6, 7]. С известными допущениями со- вокупность двух контактирующих зерен ПК, разделенных МЗГ, представлена на рис. 2. Здесь, 1 – ядро зерна ПК, представляющего собой монокристалл, ориентированный отно- сительно конкретного фронта кристаллиза- ции, имевшего место при получении ПК. Об- ласть 1 практически однородно легирована мелкими донорами (Р, Аs, Sb) или акцептора- ми (В, Al), специально вводимыми в расплав при получении ПК, а также неконтролируе- Рис. 1. Микрофотография МЗГ ПК, полученного раз- ными способами. 1 – вторичный литой поликристал- лический кремний [3]; 2 – ПК, полученный методом литья в фирме “Wacker” [4]; 3 – ПК, полученный по порошковой технологии [5]. Таблица 1 Ele- ment Порошковая технология [5] Литой [3] Литой [4] Ele- ment, % Ato- mic, % Ele- ment, % Ato- mic, % Ele- ment, % Ato- mic, % SiК 43,14 94,50 70,65 98,34 73,76 98,86 SК 0,80 1,54 1,08 0,52 0,88 0,48 ClK 0,28 0,48 0,45 0,34 0,65 0,24 NaK 0,40 1,08 – – – – KK 0,05* 0,08* – – – – CaK 0,52 0,80 0,17 0,24 0,37 0,21 FeK 1,38 1,52 0,23 0,21 0,73 0,21 CoK – – – 0,12 – – MgK – – – 0,23 – – 46,58 100,00 72,58 100,00 76,39 100,00 Б.М. АБДУРАХМАНОВ, Л.О. ОЛИМОВ, Ф. АБДУРАЗАКОВ ФІП ФИП PSE, 2010, т. 8, № 1, vol. 8, No. 174 мыми, остаточными примесями, имевшимися в исходном сырье [8]. Концентрация этих примесей определяется чистотой исходного сырья и их пределом растворимости в моно- кристаллическом кремнии. Исходя из техно- логии литого вторичного ПК [3], можно утверждать, что ядро содержит также угле- род и кислород в концентрациях не менее 1016 см–3. Область 2 зерна ПК является пограничной зоной монокристалла и, в отличие от ядра изобилует ростовыми дефектами, дислока- циями и другими структурными нарушения- ми, обусловленными процессом их вытесне- ния на периферию в актах кристаллизации. Согласно законам сегрегации сюда же при кристаллизации вытесняются и примеси, как специально введенные, так и перешедшие в расплав из исходного сырья. Априори, можно утверждать, что в пограничной области име- ется достаточно большая концентрация угле- рода, попадающего в расплав из исходного сырья, а также из графитовых тиглей и дру- гих, разогретых до высокой температуры в процессе получения ПК, углеродных изде- лий, контактирующих с сырьем и расплавом кремния, а также кислорода. Концентрация примесей в пограничной области 2 значи- тельно выше, чем в ядре 1 зерна, вплоть до образования сильно легированных микроо- бластей с характеристиками вырожденного полупроводника или полуметалла, переме- жающихся или чередующихся. Области 3 и 4 представляют собой поверх- ностные пленки из окислов самого кремния, окислов, вытесненных на поверхность ме- таллических примесей, а также островки ме- таллических пленок, образовавшиеся из ско- плений примесей металлов. На рис. 2 схематично приведены также об- ласти 5, которые можно характеризовать как микропустоты, распределенные на поверх- ности зерен, за исключением, мест нахожде- ния так называемых, проводящих мостиков, образованных, очевидно, в точках прямых контактов металлических или полуметалли- ческих поверхностных слоев 4, принадлежа- щих отдельным контактирующим друг с дру- гом зернам. Представляет интерес, выяснить каким об- разом влияет концентрация примесных за- рядовых состояний МЗГ на электроперенос носителей заряда. На рис. 3 приведены, температурные зави- симости удельного сопротивления в исследо- ванных материалах. Кривые построены на ос- нове данных, полученных в полуавтомати- ческом режиме при многократных подъемах температуры со скоростью 20 град/мин. а так- же в процессе охлаждения образцов со ско- ростью 10 град/мин. Точки на кривых соот- ветствуют дополнительным дискретным из- мерениям при фиксированных температурах. Наблюдаемые изменения удельного сопро- тивления в зависимости от температуры мож- но условно разделить на три участка а-b, b-с и с-d, и объяснить в рамках модифицирован- ной модели Сетто [9]. Удельное сопротивле- ние описывается выражением: Рис. 2. Схема контакта зерен в ПК. Рис. 3. Зависимость удельного сопротивления образ- цов поликристаллического кремния от температуры. – – – вторичной литой ПК; –◊– – ПК полученный по порошковой технологии; –∆– – литой ПК фирмы Waсker. МИКРОСТРУКТУРА МЕЖЗЕРЕННЫХ ГРАНИЦ В ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ КРЕМНИИ И ЕЕ ВЛИЯНИЕ НА ПЕРЕНОС НОСИТЕЛЕЙ ... ФІП ФИП PSE, 2010, т. 8, № 1, vol. 8, No. 1 75 ( )expC G kN q kT q a A TN∗ρ = ϕ , (1) где q – заряд электрона, k – постоянная Больцмана, 〈а〉 – размер зерна, А – эффектив- ная постоянная Ричардсона, Т – температура, Nc – эффективная плотность состояний, NG – концентрация электрически активной легирующей примеси, ϕ – высота потенциа- льного барьера на границе зерен. Высота по- тенциального барьера 2 (8 )B i o GQ qNϕ = εε . (2) Здесь, Q1 – пограничный производный заряд в МЗГ. Из (2) видно, что увеличение захваченного заряда Q1 на локализованных ловушках в МЗГ приводит к увеличению ϕ, и это одно- временно приводит к увеличению ρ на участ- ке (а–b). Рост удельного сопротивления с рос- том температуры на образцах литого ПК фир- мы Waсker (–∆–) наблюдается до ∼ 525 К, а на образцах вторичного литого ПК (– –) до ∼ 600 К. Экспериментально определено, что подвижности носителей заряда у всех типов образцов на упомянутых участках (а-b) уме- ньшаются. Дальнейшее увеличение темпера- туры сопровождается уменьшением плотнос- ти состояний, и это приводит к уменьшению ρ ПК фирмы Waсker (–∆–) в диапазоне тем- ператур 525 ÷ 725 К. Для вторичного литого ПК (– –) участок (b-с) лежит в диапазоне тем- ператур ∼ 600 ÷ 725 К. Рост ρ при дальнейшем повышении температуры может быть связан с ростом влияния рекомбинационных цент- ров. Известно, что атомная структура меж- зеренных границ (МЗГ) в кристаллах с ко- валентными связями, имеет нарушения типа разорванных связей, которые образуют до- полнительные энергетические уровни в за- прещенной зоне [1, 2, 9, 10]. Кроме того, уве- личение температуры ПК приводит к диф- фузии атомов кислорода с поверхности, а так- же к образованию преципитатов SiOx или SiyOx как в приповерхностном объеме зерен, так и на МЗГ [10]. При взаимодействии атомов кислорода с вакансиями образуются различные центры вакансии (А, Е, Н и др.). На наш взгляд, при увеличении температуры взаимодействие разорванных связей, вакан- сий и атомов кислорода приводит, в конечном счете, к образованию скоплений ловушек на МЗГ, а рекомбинация и эмиссия НЗ – к изме- нению энергетического уровня ловушек и, по аналогии с процессами реструкции рекомби- национных центров в ПК под действием све- тового излучения высокой интенсивности [11], самой природы МЗГ [1, 2, 9]. Измене- ние удельного сопротивления вблизи ∼ 710 К можно объяснить влиянием термодоноров, причем в случае ПК, по-видимому, наблюда- ется совместное действие термодоноров как внутри зерен, так и на их поверхности. Такое яркое проявление влияния термодоноров у ПК еще раз указывает на значительность вклада межзеренных границ в свойства ПК, поскольку, именно, туда при кристаллизации ПК вытесняется избыточный для зерен, рас- творенный в расплаве кислород, ответствен- ный за образование комплексов SiО4, дающих термодоноры. Этот механизм удовлетворительно прини- мается и для образца ПК, полученного поро- шковой технологией (–◊–). Монотонное из- менение его удельного сопротивления при подъеме температур от ∼ 300 К до ∼ 800 К можно объяснить пассивацией рекомбина- ционных центров атомами щелочных ме- таллов (К, Na), которые в отличие от других образцов ПК имеются в большом количестве в этом материале (табл. 1) и вытесняются при кристаллизации на границы зерен. Действи- тельно при адсорбции или десорбции ще- лочных металлов, например, натрия или калия, в МЗГ образуются различные комплек- сы вакансий и кислородосодержащих цент- ров, например, LiO+, Li-V, 4Li-V [10, 12], и одновременно происходит пассивация реком- бинационных центров [13, 14]. Поэтому удельное сопротивление у данного ПК с по- вышением температуры увеличивается моно- тонно, и пиков, т.е. участков роста, а затем уменьшения , как в обоих случаях литого ПК, в которых нет щелочных металлов, не наблю- дается. Полученные результаты, а также предло- женная упрощенная модель двух контакти- рующих зерен расширяют представления о микроструктуре границ зерен в ПК и прибли- жают решение задачи по управляемому соз- Б.М. АБДУРАХМАНОВ, Л.О. ОЛИМОВ, Ф. АБДУРАЗАКОВ ФІП ФИП PSE, 2010, т. 8, № 1, vol. 8, No. 176 данию заданных зарядовых состояний на МЗГ с помощью легирования ПК в процессе его получения конкретным набором акцеп- торных или донорных примеси. ЛИТЕРАТУРА 1. Поликристаллические полупроводники. Фи- зические свойства и применения/Пер. с англ./ Под. ред. Харбек Г. – М.: Мир, 1989. – 344 с. 2. Фаренбрух А., Бьюб Р., Солнечные элементы. – М.: Энергоатомиздат, 1987. – 176 с. 3. Абдурахманов Б.М., Ачилов Т.Х., Кады- ров А.Л., и др.//Гелиотехника. – 1992. – № 4. – С. 8-14. 4. Саидов М.С., Билялов Р.Р., Мухамадиев Р.Э., Чирва В.П..//Гелиотехника. – 1987. – № 6. – С. 18-20. 5. Способ изготовления кремниевых пластин для солнечных элементов/ Зайнабидинов С., Алиев Р., Мансуров Х./ Заявка на патент №20030030 от 15.01.2003. 6. Олимов Л.О.//Узбекский физический жур- нал. – 2005. – № 3. – С. 231-233. 7. Олимов Л.О.//Узбекский физический жур- нал. – 2007. – № 5-6. – С. 361-365. 8. Венгин С.И., Чистяков А.С. Технический кремний. – Метоллургия, 1972. – 400 с. 9. Тонкие поликристаллические и аморфные пленки. Физика и применения/Пер. с англ./ Под ред. Л. Казмерски. – М.: Мир, 1983. – 304 с. 10. Вавилов В.С., Киселев В.Ф., Мукашев Б.Н. Дефекты в кремнии и на его поверхности. – М.: Наука, Физматлит, 1990. – 260 с. 11. Алиев Р., Карагеоргий-Алкалаев П.М., Лей- дерман А.Ю., Чирва В.П.//Доклады АН УзР. – 1986. – № 8.– С. 26-28. 12. Canham L., Devies G., Lightowlers E.C., Black- more G.W.//Physica. – 1983. – Vol. 117, 118 B. – P. 119-121. 13. Макара А., Васильев М.А., Мтебленко Л.П., Коплак О.В., Курилюк А.Н., Кобзарь Ю.Л., Науменко.С.Н.//ФТП. – 2008. – Т. 42, Вып. 9. – С. 1061-1064. 14. Король В.М., Веденяпин С.А., Застовной А.В., Ovchinnikov V.//ФТП. – 2008. – Т. 42, Вып. 9. – С. 1140-1144.  Абдурахманов Б.М., Олимов Л.О., Абдуразаков Ф., 2010 МИКРОСТРУКТУРА МЕЖЗЕРЕННЫХ ГРАНИЦ В ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ КРЕМНИИ И ЕЕ ВЛИЯНИЕ НА ПЕРЕНОС НОСИТЕЛЕЙ ...

Микроструктура межзеренных границ в поликристаллическом кремнии и ее влияние на перенос носителей заряда

Institution

Ähnliche Einträge