Формирование регулярной пористой структуры р-InP

Показана необходимость использования освещения образцов р-InP во время анодизации в растворе соляной кислоты для получения равномерного ансамбля пор на поверхности исследуемого кристалла. Определены оптимальные условия для формирования регулярной структуры пористого слоя фосфида индия р-типа. Получ...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2010
Hauptverfasser:	Сычикова, Я.А., Кидалов, В.В., Сукач, Г.А.
Format:	Artikel
Sprache:	Russian
Veröffentlicht:	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2010
Schriftenreihe:	Физическая инженерия поверхности
Online Zugang:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98850
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Формирование регулярной пористой структуры р-InP / Я.А. Сычикова, В.В. Кидалов, Г.А. Сукач // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 1. — С. 81–87. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	irk-123456789-98850
record_format	dspace
spelling	irk-123456789-988502016-04-19T03:02:22Z Формирование регулярной пористой структуры р-InP Сычикова, Я.А. Кидалов, В.В. Сукач, Г.А. Показана необходимость использования освещения образцов р-InP во время анодизации в растворе соляной кислоты для получения равномерного ансамбля пор на поверхности исследуемого кристалла. Определены оптимальные условия для формирования регулярной структуры пористого слоя фосфида индия р-типа. Получены образцы с диаметром пор 30 – 40 нм. Формирование окисного слоя на поверхности кристаллов не наблюдалось, что является желаемым результатом при получении наноматериалов. Показано необхідність використання освітлення зразків р-InP під час анодизації в розчині соляної кислоти для одержання рівномірного ансамблю пор на поверхні досліджуваного кристала. Визначено оптимальні умови для формування регулярної структури пористого шару фосфіду індію р-типу. Отримані зразки з діаметром пор 30 – 40 нм. Формування окисного шару на поверхні кристалів не спостерігалося, що є бажаним результатом при одержанні наноматериалів. The necessity of lighting p-InP samples during anodization in a solution of hydrochloric acid to obtain a uniform ensemble of pores on the surface of the crystal. The optimal conditions for the formation of regular structure of the porous layer of indium phosphide p-type. Obtain samples with a pore diameter of 30 – 40 nm. The formation of the oxide layer on the surface of the crystals was not observed, which is the desired outcome in obtaining nanomaterials. 2010 Article Формирование регулярной пористой структуры р-InP / Я.А. Сычикова, В.В. Кидалов, Г.А. Сукач // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 1. — С. 81–87. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98850 539.217; 544.723 ru Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Russian
description	Показана необходимость использования освещения образцов р-InP во время анодизации в растворе соляной кислоты для получения равномерного ансамбля пор на поверхности исследуемого кристалла. Определены оптимальные условия для формирования регулярной структуры пористого слоя фосфида индия р-типа. Получены образцы с диаметром пор 30 – 40 нм. Формирование окисного слоя на поверхности кристаллов не наблюдалось, что является желаемым результатом при получении наноматериалов.
format	Article
author	Сычикова, Я.А. Кидалов, В.В. Сукач, Г.А.
spellingShingle	Сычикова, Я.А. Кидалов, В.В. Сукач, Г.А. Формирование регулярной пористой структуры р-InP Физическая инженерия поверхности
author_facet	Сычикова, Я.А. Кидалов, В.В. Сукач, Г.А.
author_sort	Сычикова, Я.А.
title	Формирование регулярной пористой структуры р-InP
title_short	Формирование регулярной пористой структуры р-InP
title_full	Формирование регулярной пористой структуры р-InP
title_fullStr	Формирование регулярной пористой структуры р-InP
title_full_unstemmed	Формирование регулярной пористой структуры р-InP
title_sort	формирование регулярной пористой структуры р-inp
publisher	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
publishDate	2010
url	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98850
citation_txt	Формирование регулярной пористой структуры р-InP / Я.А. Сычикова, В.В. Кидалов, Г.А. Сукач // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 1. — С. 81–87. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.
series	Физическая инженерия поверхности
work_keys_str_mv	AT syčikovaâa formirovanieregulârnojporistojstrukturyrinp AT kidalovvv formirovanieregulârnojporistojstrukturyrinp AT sukačga formirovanieregulârnojporistojstrukturyrinp
first_indexed	2025-07-07T07:09:35Z
last_indexed	2025-07-07T07:09:35Z
_version_	1836971119648702464
fulltext	ФІП ФИП PSE, 2010, т. 8, № 1, vol. 8, No. 1 81 ВВЕДЕНИЕ Фосфид индия – технологически важный ма- териал для создания лазеров, диодов, солнеч- ных батарей. В настоящее время особое вни- мание уделяется изучению свойств пористого InP, так как он является очень важным мате- риалом для создания свето-эмиссионных дио- дов и солнечных батарей. Площадь пористой поверхности в миллионы раз больше площа- ди монокристалла. Это удивительное свойст- во позволяет оценить преимущество порис- тых слоев для использования их в изготов- лении сенсоров (так как их чувствительность зависит от площади поверхности) и солнеч- ных батарей (возможность накапливания рекордного количества энергии). Пористый фосфид индия стал объектом многих иссле- дований [1, 2], в результате которых удается получать регулярную структуру пор заданных размеров [3 – 6]. Электрохимические методы обработки полупроводников и, в частности, фосфида индия по-прежнему рассматрива- ются как весьма перспективные. Это связано в первую очередь с тем, что указанные методы позволяют добиться равномерной по всей площади обработки поверхности полупро- водниковой пластины и одновременно, при необходимости, проводить локальный про- цесс со строго контролируемой скоростью. Кроме того, в процессе электрохимической обработки значительно легче обеспечить за- данный уровень селективности, чем при обычном химическом травлении. Альтерна- тивой химическому анодированию может служить фотоэлектрохимическое травление. Данный метод в последнее время приобре- УДК 539.217; 544.723 ФОРМИРОВАНИЕ РЕГУЛЯРНОЙ ПОРИСТОЙ СТРУКТУРЫ р-InP Я.А. Сычикова1, В.В. Кидалов1, Г.А. Сукач2 1Бердянский государственный педагогический университет Украина 2 Национальный университет биоресурсов и природопользования (Киев) Україна Поступила в редакцию 22.02.2010 Показана необходимость использования освещения образцов р-InP во время анодизации в растворе соляной кислоты для получения равномерного ансамбля пор на поверхности иссле- дуемого кристалла. Определены оптимальные условия для формирования регулярной струк- туры пористого слоя фосфида индия р-типа. Получены образцы с диаметром пор 30 – 40 нм. Формирование окисного слоя на поверхности кристаллов не наблюдалось, что является же- лаемым результатом при получении наноматериалов. Ключевые слова: пористый InP, анодное электрохимическое травление, сканирующая элект- ронная микроскопия, метод энерго дисперсионного анализа рентгеновский лучей. Показано необхідність використання освітлення зразків р-InP під час анодизації в розчині со- ляної кислоти для одержання рівномірного ансамблю пор на поверхні досліджуваного кристала. Визначено оптимальні умови для формування регулярної структури пористого шару фосфіду індію р-типу. Отримані зразки з діаметром пор 30 – 40 нм. Формування окисного шару на по- верхні кристалів не спостерігалося, що є бажаним результатом при одержанні наноматериалів. Ключові слова: пористий InP, анодне електрохімічне травлення, скануюча електронна мікро- скопія, метод енергодисперсіоного анализу рентгенівських променів. The necessity of lighting p-InP samples during anodization in a solution of hydrochloric acid to ob- tain a uniform ensemble of pores on the surface of the crystal. The optimal conditions for the formation of regular structure of the porous layer of indium phosphide p-type. Obtain samples with a pore dia- meter of 30 – 40 nm. The formation of the oxide layer on the surface of the crystals was not observed, which is the desired outcome in obtaining nanomaterials. Keywords: porous InP, anode electrochemical etching, scanning electronic microscopy, energy dis- persive X-ray spectroscopy. ФІП ФИП PSE, 2010, т. 8, № 1, vol. 8, No. 182 тает все большую популярность, так как по- зволяет получать пористые слои с максималь- но регулярной структурой пор. Формирова- ние глубоких отверстий заданной формы в монокристаллическом фосфиде индия часто необходимо при изготовлении микромехани- ческих датчиков на его основе. При этом глу- бина отверстия должна составлять не менее нескольких десятков микрон, а уход линей- ных размеров по глубине должен быть мини- мальным. Другими словами, необходимо обе- спечить вертикальность стенок отверстия по всей глубине. С другой стороны, как показали исследования механизма формирования по- ристого InP, рост поры начинается в той точке поверхности пластины, в которой по какой- либо причине наблюдается высокая локаль- ная концентрация дырок. При этом стенки по- ры остаются вертикальными до тех пор, пока не изменяется режим формирования или (и) структура самой пластины. Очевидно, что не- обходимую локальную концентрацию дырок можно создать только в том случае, если они не являются основными носителями, т.е. в фосфиде индия n-типа. Вообще говоря, счи- тается, что эффекты порообразования InP наблюдаются только в кристаллах n-типа. В работе [7] указывается, что в аналогичных условиях анодной поляризации материалы p-типа травятся однородно без образования пор. Однако в последнее время появляются со- общения различных научных групп о форми- ровании пористой структуры на поверхности фосфида индия р-типа. Так, работе [8] было показано, что возможно формирование по- ристой поверхности на р-InP (100) в растворе 1 M HBr в темноте, время травления 600 с, плотность тока 25 мA/cм2 Размер пор соста- вил порядка 300 – 400 нм. Образующиеся поры прорастают вглубь кристалла перпен- дикулярно поверхности параллельными ка- налами. Однако пористая поверхность при этом покрыта оксидным слоем, удаление ко- торого возможно в потоке N2. Авторы работы [9] сообщают о возмож- ности получения нанопористого слоя на по- верхности р-InP путем электрохимического травления в электролите, содержащим раст- вор HBr. В р-InP результате удалось получить тонкий пористый слой толщиной 3 – 5 мкм с диаметром пор 500 – 800 нм. Однако полу- ченный нанопористый слой не был равномер- ным и регулярным, он занял приблизительно 80% площади, подвергнутой электрохимиче- скому травлению. В данной работе рассматривается меха- низм получения регулярной пористой струк- туры р-InP, который заключается в исполь- зовании метода фотоэлектрохимического травления. Благодаря использованию режима освещенности образцов во время анодизации становится возможным получить регулярную равномерную сетку макропор на поверхности фосфида индия р-типа. ТЕХНИКА ЭКСПЕРИМЕНТА Для эксперимента были выбраны образцы монокристаллического р-InP, выращенные по методу Чохральского в лаборатории компа- нии “Molecular Technology GmbH” (Берлин). Толщина образцов 1 мм. Пластины были вы- резаны перпендикулярно оси роста и отполи- рованы с обеих сторон. Кристаллы подверга- лись механической и химической полировке. Ориентация поверхности выбранных плас- тин (100). Образцы легировались Zn до кон- центрации носителей заряда 2,3⋅1018 см–3. В качестве электролита был выбран раст- вор соляной кислоты (концентрация кислоты в воде 2,5%; 5%; 7%%; 10%; 15%; 20%). Эксперимент проводился при комнатной тем- пературе. Образцы освещались вольфрамо- вой лампой мощностью 200 Вт на расстоянии 10 см от поверхности образца, освещенность пластин была равномерной по всей поверх- ности слитка. Перед экспериментом образцы тщательно очищались. Процесс очистки состоял из сле- дующих стадий: 1) обезжиривание в горячем (75 – 80 °С) перекисно-аммиачном растворе; 2) обработка в горячей (90 – 100 °С) кон- центрированной азотной кислоте (удаление ионов металлов); 3) промывание в дистиллированной воде; 4) сушка пластин с помощью центрифуги в струе очищенного сухого воздуха. После эксперимента образцы очищались в ацетоне, изопропаноле, промывались в дис- ФОРМИРОВАНИЕ РЕГУЛЯРНОЙ ПОРИСТОЙ СТРУКТУРЫ р-InP ФІП ФИП PSE, 2010, т. 8, № 1, vol. 8, No. 1 83 тиллированной воде и высушивались в пото- ке особо чистого водорода, после чего подвер- гались естественному старению в течение трех дней. Морфология полученных пористых струк- тур исследовалась с помощью растрового электронного микроскопа JSM-6490. Хими- ческий состав поверхности был изучен при помощи метода энерго-дисперсионого ана- лиза рентгеновських лучей (EDAX), дифрак- тометрические исследования проводились с помощью дифрактометра ДРОН-3М. ОБСУЖДЕНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ Следует отметить, что при травлении n-InP формирование пористой структуры наблю- дается при разных концентрациях электро- лита, времени, плотности тока. Принципиа- льно отличалось поведение кристаллов p-ти- па во время электрохимического травления при тех же условиях. Нами удалось получить пористую структуру для кристаллов p-типа удовлетворительного качества только при ис- пользовании соляной кислоты (концентра- ция не меньше 5%) при плотностях тока 100 – 200 мА/см2 и времени травления от 15 мин и выше. При этом использовался режим до- полнительного освещения образцов вольфра- мовой лампой во время электролитического травления. На рис. 1 приведена схема для фотоэлект- рохимического травления образцов фосфида индия р-типа. Свет от вольфрамовой лампы 6 падает на собирающую линзу 5. После прохождения собирающей линзы параллель- ный пучок света падает на поверхность крис- талла 3 под углом 45о. Омические контакты 4 к р-InP создавались путем напыления Aq/ Zn на обратную сторону полупроводниковой пластины. На катоде – платина 2, площадь 1 см2. Так как энергия кванта света (видимое излучение) больше ширины запрещенной зо- ны полупроводника InP (1,344 eВ), то в при- поверхностной зоне происходит генерация электронов и дырок. Наличие дырок в валентной зоне, ослабля- ет химические связи и приводит к тому, что эти соединения становятся чувствительны к действию электролита. Дырки взаимодейст- вуют с монокристаллом InP, в результате об- разуются свободные атомы индия и фосфора, которые уходят в раствор согласно реакции InP + 6h+ = In3+ + P3+. В полупроводнике n-типа, если электро- литическое травление осуществляется при высокой плотности тока, то к поверхности полупроводника поступает большое коли- чество дырок. Они движутся к границе раз- дела полупроводник-электролит сплошным фронтом и обеспечивают реакционную спо- собность практически каждому атому. По- скольку микровыступы имеют большую по- верхность, чем ровные участки, то они рас- творяются быстрее. Таким образом, поверх- ность монокристалла InP постепенно вырав- нивается. Это и есть известный режим элект- рохимической полировки. В полупроводнике n-типа, если электроли- тическое травление проводят при низкой плотности тока, то количества дырок не хва- тает для растворения каждого атома на по- верхности и поэтому происходит локальное растворение InP на поверхности. Согласно различным моделям [9, 10], зарождение пор может начинаться на микроуглублениях, де- фектах структуры, механически напряжен- ных участках или локальных возмущениях потенциального поля поверхности. Рис. 1. Установка для фотоэлектрохимического травле-ния p-InP (1 – контрольный электрод, 2 – катод, 3 – пластина монокристаллического InP, 4 – омический контакт, 5 – собирающая линза, 6 – вольфрамовая лам-па мощностью 200 Вт). Я.А. СЫЧИКОВА, В.В. КИДАЛОВ, Г.А. СУКАЧ ФІП ФИП PSE, 2010, т. 8, № 1, vol. 8, No. 184 В случае р-типа дырки являются основ- ными носителями и даже, при низкой плот- ности тока электролитического травления практически к каждому атому на поверхности приходит дырка и в результате происходит процесс электрохимической полировки. Та- ким образом, для получения пор в полупро- воднике р-типа необходимо во время элект- ролитического травления уменьшить кон- центрацию дырок на поверхности, чтобы не к каждому атому на поверхности пришла дырка. В нашей работе для этого применилась освещение полупроводника светом. При поглощении света полупроводником InP р-типа в приповерхностной области обра- зуются электроны и дырки. Из-за искривле- ния зонной диаграммы на границе раздела полупроводник-электролит (рис. 2) дырки уходят в глубь, а на поверхности накапли- вается отрицательный заряд. Таким образом, в результате уменьшения концентрации ды- рок и увеличении концентрации электронов на поверхности, не к каждому атому на по- верхности поступает дырка, и происходит процесс образования пор. Рис. 3 демонстрирует морфологию пори- стого образца p-InP, полученного в 5% раст- воре соляной кислоты при плотности тока 150 мА/см2, время травления 15мин. Размер пор составляет приблизительно 30 – 60 нм, степень пористости 30%. Поры проросли по всей поверхности слитка без выделенных мест скопления. В некоторых местах можно наблюдать массивные отверстия, размером до 200 нм. На наш взгляд, подобные поры обя- заны своим появлением выходу на поверх- ность кристалла дислокаций и микродефек- тов, места, возникновения которых являются благоприятными для образования пор. Методом энергодисперсионого анализа рентгеновських лучей (EDAX) был установ- лен химический состав элементов на поверх- ности данного образца (рис. 4). По результа- там этих данных можно сделать вывод, что на поверхности пористого p-InP не обра- зовалось плотной окисной пленки, также не наблюдается наличие элементов, входящих в состав травителя. Однако во время травления была нарушена стехиометрия исходного кристалла: индий присутствует в большей концентрации, чем фосфор. Отсутствие окис- ной пленки подтверждается также дифракто- метрическими исследованиями, проведен- ными на дифрактометре ДРОН-3М. Спектры, снятые при помощи этого метода демонстри- руют сохранение монокристалличности. В работе [10] указывается, что условия порообразования всегда ограничены более или менее узким диапазоном напряжений по- ляризации. Наиболее резкой, четко определя- емой границей такого диапазона оказывается минимальная, пороговая величина напряже- Рис. 2. Зонная диаграмма на границе раздела “полу- проводник-электролит”. Рис. 3. Морфология пористого p-InP, полученного в 5% растворе соляной кислоты при плотности тока 150 мА/см2, время травления 15 мин, дополнительный режим – освещение вольфрамовой лампой. ФОРМИРОВАНИЕ РЕГУЛЯРНОЙ ПОРИСТОЙ СТРУКТУРЫ р-InP ФІП ФИП PSE, 2010, т. 8, № 1, vol. 8, No. 1 85 ния, необходимого для начала зарождения пор, т.н. напряжение начала порообразования – Uп [11]. Пороговое напряжение начала порообра- зования может служить количественной ха- рактеристикой процесса порообразования, протекающего в конкретной системе “полу- проводник-электролит”. Uп зависит от сос- тава электролита и исходной поверхности кристалла, поэтому, определяется для каждо- го случая индивидуально. Следует отметить, что пороговое напряже- ние начала порообразования зависит от ряда факторов: уровня легирования и ориентации полупроводника; состава и температуры элек- тролита; концентрации дефектов на поверх- ности кристалла и др. Поэтому, эта величина имеет различные значения для каждого от- дельно взятого случая. Однако наиболее су- щественное влияние на величину Uп оказы- вает именно концентрация и состав элект- ролита. Известно, что пороговое напряжение начала порообразования растет с повышени- ем pH среды. Определение данной величины является важным моментом для получения качественных пористых пленок, так как позволяет контролировать и регулировать условия травления. Напряжение начала порообразования оп- ределялось следующим образом. Скорость изменения напряжения составляла 0,5 В/мин. При этом плотность тока (до критического значения напряжения) остается в пределах не превышающих 50 мА/см2. Начиная с опреде- ленного критического значения напряжения, плотность тока быстро нарастает со време- нем. Резкое возрастание плотности тока во времени можно объяснить постепенным уве- личением числа входных отверстий пор и их ветвлением под поверхностью. Спустя какое- то время ток перестает нарастать. Это может свидетельствовать о значительном замедле- нии процесса формирования входных отверс- тий пор. При концентрации соляной кислоты рав- ной 2,5% резкого повышения анодного тока не произошло. Также, напряжение повыша- лось монотонно при концентрации HCl пре- вышающей 15%. Это может свидетельсттво- вать о том, что в данном случае фотоэлект- рохимическое травление происходило без образования пор, либо порообразование не являлось доминирующим процессом в ряду альтернативных химических процессов, ко- торыми могут являться травление с полным или частичным растворением продуктов, образование сплошных нерастворимых пле- нок, окисление поверхности полупровод- ника. На рис. 5а, б представлена вольт-амперная характеристика, снятая для случая травления p-InP (100) в растворе 5% HCl при скорости нарастания напряжения 1 В/мин. Анализ дан- ного изображения показывает, что до значе- ния Uс = 5,5В плотность тока не превышает 35 мА/см2. Далее происходит резкое возраста- ние плотности тока во времени до значения 160 мА/см2. Спустя 1 минуту травления в та- ком режиме скорость роста тока значительно замедляется. Можно сделать вывод, что к это- му моменту формируется стандартная конфи- гурация плотности пор на поверхности крис- талла. Таким образом, пороговое напряжение начала порообразования в данном случае составило 5,5 В. При использовании 6% раствора соляной кислоты эксперимент показал, что значение порогового напряжения начала порообразова- ния находится в пределе 5,1 В, а при 7% HCl – 4,8 В. Анализ данных результатов позволяет сделать вывод, что при увеличении концент- рации в растворе, величина Uп уменьшается, то есть скорость реакции растет, и процесс порообразования начинается раньше. Однако такая тенденция сохраняется до определен- ного критического значения концентрации кислоты в электролите. Так, при использова- нии 10% HCl, величина порогового напряже- Рис. 4. Химический состав элементов на поверхности пористого p-InP. Я.А. СЫЧИКОВА, В.В. КИДАЛОВ, Г.А. СУКАЧ ФІП ФИП PSE, 2010, т. 8, № 1, vol. 8, No. 186 ния повышается до значения 6,3 В, а при концентрации 15% и выше ток растет моно- тонно, не обнаруживая порогового напряже- ния начала порообразования. Как отмечалось выше, в этом случае порообразование не яв- ляется доминирующим процессом. На поляризационных кривых (рис. 5а, б) пороговому напряжению начала порообразо- вания соответствует переход к быстрому по- вышению анодного тока. Току, связанному с образованием и развитием пор, свойственно продолжительное возрастание во времени при неизменных значениях подаваемого напряжения [9]. Рис. 6 демонстрирует изменение плотнос- ти тока во времени при постоянном значении напряжения Uс = 5,5 В (для случая травления p-InP (100) в растворе 5% HCl. В течение 3-х минут плотность тока быстро нарастает со средней скоростью 53 мА/см2⋅мин. Спустя 3 мин, скорость возрастания плотности тока заметно замедляется, что свидетельствует о замедлении процесса порообразования. При травлении р-InP без использования ре- жима освещения, резкого повышения анод- ного тока не наблюдалось. Это говорит о том, что процесс травления не сопровождался ак- тивным порообразованием. Подтверждением этого факта может служить также и морфоло- гия поверхности, снятая на сканирующем электронном микроскопе (SЕМ). Отсюда сле- дует, что одним из определяющих факторов, ответственного за образование пор р-InP в растворе соляной кислоты, является исполь- зование подсветки образцов во время трав- ления. ВЫВОДЫ В настоящей работе представлена методика получения пористой поверхности р-InP. По- казана необходимость использования осве- щения образцов во время анодизации в раст- воре соляной кислоты для получения равно- мерного ансамбля пор на поверхности иссле- дуемого кристалла. Определены оптималь- ные условия для формирования регулярной структуры пористого слоя фосфида индия р-типа. Получены образцы с диаметром пор а) б) Рис. 5. а) – зависимость плотности тока от напряжения для случая травления, б) – изменение плотности тока во времени. Для случая травления p-InP (100) в раст- воре 5% HCl. Рис. 6. Изменение тока процесса порообразования во времени при постоянной величине напряжения Uс = 5,5 В. Для случая травления p-InP (100) в растворе 5% HCl. ФОРМИРОВАНИЕ РЕГУЛЯРНОЙ ПОРИСТОЙ СТРУКТУРЫ р-InP ФІП ФИП PSE, 2010, т. 8, № 1, vol. 8, No. 1 87 30 – 40 нм. Формирование окисного слоя на поверхности кристаллов не наблюдалось, что является желаемым результатом при получе- нии наноматериалов. ЛИТЕРАТУРА 1. Khalifa S. Ben, Gruzza B., Robert-Goumet C., Bideux L., Monier G., Saidi F., Hassen, G. Maa- ref H. Bremond G., Be‘ji L. Study of porous III- V semiconductors by electron spectroscopies (AES and XPS) and optical spectroscopy (PL): Effect of ionic bombardment and nitridation process//Surface Science. – 2007. – Vol. 601. – C. 4531-4535. 2. Langa S., Carstensen J., Tiginyanu I. M., Chris- tophersen M., Foll H. Self-Induced Voltage Os- cillations during Anodic Etching of n-InP and Possible Applications for Three-Dimensional Microstructures//Electrochemical and Solid- State Letters.– 2001.– Vol. 4, № 6.– P. G50-G52. 3. Langa S., Tiginyanu I. M., Carstensen J., Chris- tophersen M., and Foll H. Self-organized growth of single crystals of nanopores//Applied Physics Letters. – 2003. – Vol. 8, № 2. – P. 278-280. 4. Kidalov V.V., Beji L., Sukach G.A. Optical pro- perties of p-type porous GaAs//Semiconductors physics quantum electronics & optoelectronics. – 2006. – Vol. 8, №. 4 – P. 129-135. 5. Langa S., Tiginyanu I.M., Carstensen J., Christo- phersen M., and Foll H. Self-organized growth of single crystals of nanopores//Applied Physics Letters. – 2003. – Vol. 8, № 2. – P. 278-280. 6. Tiginyanu I.M., Kravetsky I.V., Langa S. Porous III – V compounds as nonlinear optical materi- als//Physica Status Solidi (A). – 2003. – Vol. 197, № 2. – P. 549-555. 7. Fцll H., Langa S., Carstensen J. Pores in III-V Semicoductors//Advanced Materils. – 2003. – Vol. 15, № 3. – P. 183-198. 8. Tsuchiya H., Hueppe M., Djenizian Th., Schmu- ki P. Electrochemical formation of porous super- lattices on n-type (100) InP//Surface Science. – 2003. – Vol. 547. – P. 268-274. 9. Langa S., Frey S., Carstensen J. Waveguide structures based on porous indium phosphide et al.//Electrochemical and Solid-State Letters. – 2005. – Vol. 8, № 2. – P. C30-C32. 10. Hollinger G., Berngignat E., Joseph J., Robach Y. On the nature of oxides on InP surfaces//Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films. – 1985. – Vol. 3, № 6. – P. 2082-2088 11. Улин В.П., Конников С.Г. Природа процес- сов электрохимического порообразования в кристаллах A IIIB V// ФТП. – 2007. – Т. 41, № 7. – C. 854-867.  Сычикова Я.А., Кидалов В.В., Сукач Г.А., 2010 Я.А. СЫЧИКОВА, В.В. КИДАЛОВ, Г.А. СУКАЧ

Формирование регулярной пористой структуры р-InP

Institution

Ähnliche Einträge