Стиль цитування APA (7-ме видання)

Алиев, Р., Мухтаров, Э., & Олимов, Л. (2010). Неразрушающий метод измерения глубины залегания p-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур. Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України.

Чикаго стиль цитування (17-те видання)

Алиев, Р, Э Мухтаров, та Л Олимов. Неразрушающий метод измерения глубины залегания P-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур. Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України, 2010.

Стиль цитування MLA (8-ме видання)

Алиев, Р, et al. Неразрушающий метод измерения глубины залегания P-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур. Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України, 2010.