Алиев, Р., Мухтаров, Э., & Олимов, Л. (2010). Неразрушающий метод измерения глубины залегания p-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур. Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Алиев, Р, Э Мухтаров, und Л Олимов. Неразрушающий метод измерения глубины залегания P-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур. Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України, 2010.
MLA-Zitierstil (8. Ausg.)Алиев, Р, et al. Неразрушающий метод измерения глубины залегания P-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур. Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України, 2010.
Achtung: Diese Zitate sind unter Umständen nicht zu 100% korrekt.