Алиев, Р., Мухтаров, Э., & Олимов, Л. (2010). Неразрушающий метод измерения глубины залегания p-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур. Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України.
Chicago Style (17th ed.) CitationАлиев, Р, Э Мухтаров, and Л Олимов. Неразрушающий метод измерения глубины залегания P-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур. Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України, 2010.
MLA (8th ed.) CitationАлиев, Р, et al. Неразрушающий метод измерения глубины залегания P-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур. Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України, 2010.
Warning: These citations may not always be 100% accurate.