Неразрушающий метод измерения глубины залегания p-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур
В работе описаны результаты разработки нового неразрушающего метода измерения глубины залегания р-n-перехода в структурах, предназначенных для изготовления фотоэлектрических приборов. Предложенный метод позволяет использовать более простые технические средства, по сравнению с традиционными метода...
Saved in:
| Date: | 2010 |
|---|---|
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2010
|
| Series: | Физическая инженерия поверхности |
| Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98867 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Неразрушающий метод измерения глубины залегания p-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур / Р. Алиев, Э. Мухтаров, Л. Олимов // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 2. — С. 169–172. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Summary: | В работе описаны результаты разработки нового неразрушающего метода измерения глубины
залегания р-n-перехода в структурах, предназначенных для изготовления фотоэлектрических
приборов. Предложенный метод позволяет использовать более простые технические средства,
по сравнению с традиционными методами, исключает громоздкие математические вычисления,
сокращает длительность и упрощает процесс измерения. |
|---|