Неразрушающий метод измерения глубины залегания p-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур - Алиев, Р.; Мухтаров, Э.; Олимов, Л. (Физическая инженерия поверхности, 2010)
В работе описаны результаты разработки нового неразрушающего метода измерения глубины залегания р-n-перехода в структурах, предназначенных для изготовления фотоэлектрических приборов. Предложенный метод позволяет использовать более простые технические средства, по сравнению с традиционными методами, исключает громоздкие математические вычисления, сокращает длительность и упрощает процесс измерения.