О перспективности использования пористого фосфида индия в качестве подложек для пленок нитрида индия
В данной работе рассмотрена возможность получения тонких пленок InN на пористых подложках InP методом радикало-лучевой геттерирующей эпитаксии. Пористый фосфид индия получали методом электрохимического травления. На поверхности пористого InP методами оже-спектроскопии было доказано образование пл...
Saved in:
| Date: | 2010 |
|---|---|
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2010
|
| Series: | Физическая инженерия поверхности |
| Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98897 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | О перспективности использования пористого фосфида индия в качестве подложек для пленок нитрида индия / Я.А. Сычикова // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 3. — С. 228–230. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Summary: | В данной работе рассмотрена возможность получения тонких пленок InN на пористых
подложках InP методом радикало-лучевой геттерирующей эпитаксии. Пористый фосфид индия
получали методом электрохимического травления. На поверхности пористого InP методами
оже-спектроскопии было доказано образование пленок InN. По результатам оже-спектроскопии, толщина пленки InN составила от 100 нм до 0,5 мкм в зависимости от
технологических условий. |
|---|