О перспективности использования пористого фосфида индия в качестве подложек для пленок нитрида индия
В данной работе рассмотрена возможность получения тонких пленок InN на пористых подложках InP методом радикало-лучевой геттерирующей эпитаксии. Пористый фосфид индия получали методом электрохимического травления. На поверхности пористого InP методами оже-спектроскопии было доказано образование пл...
Saved in:
Date: | 2010 |
---|---|
Main Author: | Сычикова, Я.А. |
Format: | Article |
Language: | Russian |
Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2010
|
Series: | Физическая инженерия поверхности |
Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98897 |
Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Cite this: | О перспективности использования пористого фосфида индия в качестве подложек для пленок нитрида индия / Я.А. Сычикова // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 3. — С. 228–230. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSimilar Items
-
Влияние состава электролита на величину порогового напряжения начала порообразования фосфида индия
by: Сычикова, Я.А.
Published: (2010) -
Влияние кристаллографической ориентации на формирование пористой поверхности фосфида индия
by: Сычикова, Я.А., et al.
Published: (2010) -
Оптические константы бромида индия
by: Колинько, Н.И., et al.
Published: (2001) -
Влияние примеси индия на фотовольтаические свойства косонапыленных пленок CdTe
by: Каримов, М.А., et al.
Published: (2005) -
Синтез гексаметилдисилазанатов алюминия, галлия, индия
by: Мазуренко, Е.А., et al.
Published: (2000)