Особенности рассеяния носителей тока межкристаллитными потенциальными барьерами, образованными электроными поверхностными состояниями в поликристаллических полупроводниках - Атакулов, Ш.Б.; Зайнолобидинова, С.М.; Отажонов, С.М.; Тухтаматов, О.А. (Физическая инженерия поверхности, 2010)
В модели, предполагающей захват электронов проводимости, на поверхностные состояния границ зерен в поликристаллах полупроводников, рассчитана прозрачность потенциального барьера. Задача решена для случаев невырожденной и вырожденной статистики электронов.