Фотоэлектрические преобразователи на основе пористого арсенида галлия
Исследовано применение пористых слоев арсенида галлия в качестве антиотражающего покрытия для солнечных элементов. С помощью пористых слоев удалось снизить поверхностное отражение, расширить диапазон спектральной чувствительности и тем самым получить возрастание тока короткого замыкания фотопреобра...
Gespeichert in:
Datum: | 2012 |
---|---|
Hauptverfasser: | Кирилаш, А.И., Симченко, С.В., Кидалов, В.В. |
Format: | Artikel |
Sprache: | Russian |
Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2012
|
Schriftenreihe: | Физическая инженерия поверхности |
Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98961 |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Zitieren: | Фотоэлектрические преобразователи на основе пористого арсенида галлия / А.И. Кирилаш, С.В. Симченко, В.В. Кидалов // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 2. — С. 217–220. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
-
Обзор мирового рынка арсенида галлия
von: Наумов, А.В.
Veröffentlicht: (2005) -
Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия
von: Мокрицкий, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2003) -
Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов
von: Яцуненко, А.Г., et al.
Veröffentlicht: (2005) -
Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия
von: Шутов, С.В.
Veröffentlicht: (1999) -
Трехбарьерные фотодиоды на основе соединений арсенида галлия для оптических систем связи
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2009)