Температурная зависимость ширины запрещенной зоны Si и связь с тепловым уширением плотности состояний - Гулямов, Г.; Шарибаев, Н.Ю. (Физическая инженерия поверхности, 2012)
Исследовано влияние температурного уширения энергетических состояний на температурную зависимость ширины запрещенной зоны полупроводника. Моделированием процесса теплового уширения, численным анализом установлено, что коэффициент температурного изменения ширины запрещенной зоны зависит от энергетической плотности состояний и присутствия дискретных уровней в запрещенной зоне. Результаты расчетов хорошо согласуются с экспериментальными данными.