Функциональные характеристики полевого транзистора с управляющим р-n-переходом при различных режимах включения - Абдулхаев, О.А.; Гиясова, Ф.А.; Ёдгорова, Д.М.; Каманов, Б.М.; Каримов, А.В. (Физическая инженерия поверхности, 2012)
Проведены исследования функциональных характеристик полевого транзистора с управляющим р-n-переходом при различных режимах и схемах включения. Экспериментально установлено, что максимальные значения токов стока при соединении двух транзисторов от интенсивности излучения изменяются по квадратичному закону, а фоточувствительность становится больше по сравнению с дискретной структурой. При этом максимальные значения токов стока соответствующие световым токам дискретных транзисторов от прямосмещающего напряжения изменяются по квадратичному закону и являются продолжением темновой передаточной характеристики, что делает возможным их использование в качестве фотоприемников в электронных схемах. В последовательно соединенных полевых транзисторах модулируемый переход, как и в двухбарьерных структурах, управляет параметрами второго перехода за счет перераспределения напряжения приложенного от внешнего источника питания.