Влияние нейтронного облучения на процессы модуляции базовой области кремниевой p⁺nn⁺-структуры - Рахматов, А.З. (Физическая инженерия поверхности, 2013)
Приведены результаты исследования влияния нейтронного облучения на характер зависимости емкости от запирающего напряжения кремниевой p⁺nn⁺-структуры. Под воздействием нейтронного облучения дозой 3⋅10¹⁵ н/см² обнаружено увеличение исходной толщины слоя объемного заряда p⁺n-перехода в два с половиной раза, что объясняется образованием i-слоя у границы с p⁺n-переходом. При этом достижение заданной напряженности электрического поля после облучения достигается при напряжениях в два раза больших, в результате уменьшается емкость структуры и время включения ограничительного диода.