Топологія поверхні тонких оксидних плівок CdO, сформованих на ван-дер-ваальсових поверхнях шаруватих кристалів InSe ТА GaSe

Методом магнетронного розпилення отримано тонкі плівки CdO на ван-дер-ваальсових поверхнях шаруватих кристалів InSe та GaSe. Структура плівок досліджена методом рентгеноструктурного аналізу. За допомогою атомно-силовоїмікроскопії проведено дослідження топології поверхні отриманих плівок. Встановле...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2013
1. Verfasser: Кудринський, З.Р.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainian
Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2013
Schriftenreihe:Физическая инженерия поверхности
Online Zugang:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/99823
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Топологія поверхні тонких оксидних плівок CdO, сформованих на ван-дер-ваальсових поверхнях шаруватих кристалів InSe ТА GaSe / З.Р. Кудринський // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 185–190. — Бібліогр.: 13 назв. — укр.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Beschreibung
Zusammenfassung:Методом магнетронного розпилення отримано тонкі плівки CdO на ван-дер-ваальсових поверхнях шаруватих кристалів InSe та GaSe. Структура плівок досліджена методом рентгеноструктурного аналізу. За допомогою атомно-силовоїмікроскопії проведено дослідження топології поверхні отриманих плівок. Встановлено, що їх поверхня є наноструктурованою, проте характер нарощування плівок на підкладках InSe та GaSe відрізняється. На InSe спостерігаються наноутворення у вигляді окремих пагорбів та їх скупчень. Густина таких наноутворень становить ∼2,25⋅10¹⁰ см⁻². Особливістю поверхневої топології плівок CdO на GaSe є те, що наноутворення розміщені рівномірно та мають куполоподібний вигляд, причому схильність до утворення скупчень у них відсутня. Оцінка густини такого типу наноутворень показує, що вона становить ∼6,4⋅10⁹ см⁻².