Топологія поверхні тонких оксидних плівок CdO, сформованих на ван-дер-ваальсових поверхнях шаруватих кристалів InSe ТА GaSe

Топологія поверхні тонких оксидних плівок CdO, сформованих на ван-дер-ваальсових поверхнях шаруватих кристалів InSe ТА GaSe

Методом магнетронного розпилення отримано тонкі плівки CdO на ван-дер-ваальсових поверхнях шаруватих кристалів InSe та GaSe. Структура плівок досліджена методом рентгеноструктурного аналізу. За допомогою атомно-силовоїмікроскопії проведено дослідження топології поверхні отриманих плівок. Встановле...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2013
1. Verfasser: Кудринський, З.Р.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainian
Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2013
Schriftenreihe:Физическая инженерия поверхности
Online Zugang:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/99823
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Топологія поверхні тонких оксидних плівок CdO, сформованих на ван-дер-ваальсових поверхнях шаруватих кристалів InSe ТА GaSe / З.Р. Кудринський // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 185–190. — Бібліогр.: 13 назв. — укр.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-99823
record_format dspace
spelling irk-123456789-998232016-05-05T03:02:02Z Топологія поверхні тонких оксидних плівок CdO, сформованих на ван-дер-ваальсових поверхнях шаруватих кристалів InSe ТА GaSe Кудринський, З.Р. Методом магнетронного розпилення отримано тонкі плівки CdO на ван-дер-ваальсових поверхнях шаруватих кристалів InSe та GaSe. Структура плівок досліджена методом рентгеноструктурного аналізу. За допомогою атомно-силовоїмікроскопії проведено дослідження топології поверхні отриманих плівок. Встановлено, що їх поверхня є наноструктурованою, проте характер нарощування плівок на підкладках InSe та GaSe відрізняється. На InSe спостерігаються наноутворення у вигляді окремих пагорбів та їх скупчень. Густина таких наноутворень становить ∼2,25⋅10¹⁰ см⁻². Особливістю поверхневої топології плівок CdO на GaSe є те, що наноутворення розміщені рівномірно та мають куполоподібний вигляд, причому схильність до утворення скупчень у них відсутня. Оцінка густини такого типу наноутворень показує, що вона становить ∼6,4⋅10⁹ см⁻². Методом магнетронного распыления получены тонкие пленки CdO на ван-дер-ваальсовых поверхностях слоистых кристаллов InSe и GaSe. Структура пленок исследована методом рентгеноструктурного анализа. С помощью атомно-силовой микроскопии проведено исследование топологии поверхности полученных пленок. Установлено, что их поверхность является наноструктурированной, однако характер наращивания пленок на подложках InSe и GaSe отличается. На InSe наблюдаются нанообразования в виде отдельных холмов и их скоплений. Плотность таких нанообразований составляет ∼2,25⋅10¹⁰ см⁻². Особенностью поверхностной топологии пленок CdO на GaSe является то, что нанообразования размещены равномерно и имеют куполообразный вид, причем склонность к образованию скоплений у них отсутствует. Оценка плотности такого типа нанообразований показывает, что она составляет ∼6,4⋅10⁹ см⁻². Thin films of CdO were fabricated by dc reactive magnetron sputtering onto van der Waals surfaces of InSe and GaSe layered crystals. The structure of the films was studied by X-ray diffraction method. Surface topology of the obtained films was investigated by atomic force microscopy. It was established that the surface is nanostructured, but the growth of the films differs on InSe and GaSe substrates. On InSe substrate one can observe nanoobjects in the form of separate hills and their clusters. The density of such nanoobjects is ∼2,25⋅1010 cm–2. The peculiarity of surface topology of CdO films on GaSe is that the nanoobjects are distributed uniformly and have domelike shape. There is no tendency to formation of clusters of such nanoobjects. It was estimated that the density of these nanoobjects is ∼2,25⋅10¹⁰ cm⁻².Thin films of CdO were fabricated by dc reactive magnetron sputtering onto van der Waals surfaces of InSe and GaSe layered crystals. The structure of the films was studied by X-ray diffraction method. Surface topology of the obtained films was investigated by atomic force microscopy. It was established that the surface is nanostructured, but the growth of the films differs on InSe and GaSe substrates. On InSe substrate one can observe nanoobjects in the form of separate hills and their clusters. The density of such nanoobjects is ∼2,25⋅1010 cm–2. The peculiarity of surface topology of CdO films on GaSe is that the nanoobjects are distributed uniformly and have domelike shape. There is no tendency to formation of clusters of such nanoobjects. It was estimated that the density of these nanoobjects is ∼6,4⋅10⁹ cm⁻². 2013 Article Топологія поверхні тонких оксидних плівок CdO, сформованих на ван-дер-ваальсових поверхнях шаруватих кристалів InSe ТА GaSe / З.Р. Кудринський // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 185–190. — Бібліогр.: 13 назв. — укр. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/99823 621.315.592 uk Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Ukrainian
description Методом магнетронного розпилення отримано тонкі плівки CdO на ван-дер-ваальсових поверхнях шаруватих кристалів InSe та GaSe. Структура плівок досліджена методом рентгеноструктурного аналізу. За допомогою атомно-силовоїмікроскопії проведено дослідження топології поверхні отриманих плівок. Встановлено, що їх поверхня є наноструктурованою, проте характер нарощування плівок на підкладках InSe та GaSe відрізняється. На InSe спостерігаються наноутворення у вигляді окремих пагорбів та їх скупчень. Густина таких наноутворень становить ∼2,25⋅10¹⁰ см⁻². Особливістю поверхневої топології плівок CdO на GaSe є те, що наноутворення розміщені рівномірно та мають куполоподібний вигляд, причому схильність до утворення скупчень у них відсутня. Оцінка густини такого типу наноутворень показує, що вона становить ∼6,4⋅10⁹ см⁻².
format Article
author Кудринський, З.Р.
spellingShingle Кудринський, З.Р.
Топологія поверхні тонких оксидних плівок CdO, сформованих на ван-дер-ваальсових поверхнях шаруватих кристалів InSe ТА GaSe
Физическая инженерия поверхности
author_facet Кудринський, З.Р.
author_sort Кудринський, З.Р.
title Топологія поверхні тонких оксидних плівок CdO, сформованих на ван-дер-ваальсових поверхнях шаруватих кристалів InSe ТА GaSe
title_short Топологія поверхні тонких оксидних плівок CdO, сформованих на ван-дер-ваальсових поверхнях шаруватих кристалів InSe ТА GaSe
title_full Топологія поверхні тонких оксидних плівок CdO, сформованих на ван-дер-ваальсових поверхнях шаруватих кристалів InSe ТА GaSe
title_fullStr Топологія поверхні тонких оксидних плівок CdO, сформованих на ван-дер-ваальсових поверхнях шаруватих кристалів InSe ТА GaSe
title_full_unstemmed Топологія поверхні тонких оксидних плівок CdO, сформованих на ван-дер-ваальсових поверхнях шаруватих кристалів InSe ТА GaSe
title_sort топологія поверхні тонких оксидних плівок cdo, сформованих на ван-дер-ваальсових поверхнях шаруватих кристалів inse та gase
publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
publishDate 2013
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/99823
citation_txt Топологія поверхні тонких оксидних плівок CdO, сформованих на ван-дер-ваальсових поверхнях шаруватих кристалів InSe ТА GaSe / З.Р. Кудринський // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 185–190. — Бібліогр.: 13 назв. — укр.
series Физическая инженерия поверхности
work_keys_str_mv AT kudrinsʹkijzr topologíâpoverhnítonkihoksidnihplívokcdosformovanihnavandervaalʹsovihpoverhnâhšaruvatihkristalívinsetagase
first_indexed 2025-07-07T09:58:15Z
last_indexed 2025-07-07T09:58:15Z
_version_ 1836981730640134144
fulltext 185 ВСТУП Шаруваті напівпровідникові кристали, до яких належать моноселеніди індію (InSe) та галію (GaSe), володіють анізотропними властивос- тями, які обумовлені наявністю двох видів зв’язків між атомами в кристалі [1]. Кожен шар шаруватих кристалів (ШК) містить чотири атомні площини Se – In (Ga) – In (Ga) – Se, УДК 621.315.592 ТОПОЛОГІЯ ПОВЕРХНІ ТОНКИХ ОКСИДНИХ ПЛІВОК CdO, СФОРМОВАНИХ НА ВАН-ДЕР-ВААЛЬСОВИХ ПОВЕРХНЯХ ШАРУВАТИХ КРИСТАЛІВ InSe ТА GaSe З.Р. Кудринський Інститут проблем матеріалознавства НАН України, Чернівецьке відділення Україна Надійшла до редакції 02.04.2013 Методом магнетронного розпилення отримано тонкі плівки CdO на ван-дер-ваальсових по- верхнях шаруватих кристалів InSe та GaSe. Структура плівок досліджена методом рентгено- структурного аналізу. За допомогою атомно-силової мікроскопії проведено дослідження топології поверхні отриманих плівок. Встановлено, що їх поверхня є наноструктурованою, проте характер нарощування плівок на підкладках InSe та GaSe відрізняється. На InSe спостерігаються нано- утворення у вигляді окремих пагорбів та їх скупчень. Густина таких наноутворень становить ∼ 2,25⋅1010 см–2. Особливістю поверхневої топології плівок CdO на GaSe є те, що наноутворення розміщені рівномірно та мають куполоподібний вигляд, причому схильність до утворення скуп- чень у них відсутня. Оцінка густини такого типу наноутворень показує, що вона становить ∼ 6,4⋅109 см–2. Ключові слова: тонкі оксидні плівки, шаруваті кристали, топологія поверхні, атомно-силова мікроскопія. ТОПОЛОГИЯ ПОВЕРХНОСТИ ТОНКИХ ОКСИДНЫХ ПЛЕНОК CdO, СФОРМИРОВАННЫХ НА ВАН-ДЕР-ВААЛЬСОВЫХ ПОВЕРХНОСТЯХ СЛОИСТЫХ КРИСТАЛЛОВ InSe И GaSe З.Р. Кудринский Методом магнетронного распыления получены тонкие пленки CdO на ван-дер-ваальсовых поверхностях слоистых кристаллов InSe и GaSe. Структура пленок исследована методом рент- геноструктурного анализа. С помощью атомно-силовой микроскопии проведено исследование топологии поверхности полученных пленок. Установлено, что их поверхность является нано- структурированной, однако характер наращивания пленок на подложках InSe и GaSe отличается. На InSe наблюдаются нанообразования в виде отдельных холмов и их скоплений. Плотность таких нанообразований составляет ∼ 2,25⋅1010 см–2. Особенностью поверхностной топологии пленок CdO на GaSe является то, что нанообразования размещены равномерно и имеют куполо- образный вид, причем склонность к образованию скоплений у них отсутствует. Оценка плотности такого типа нанообразований показывает, что она составляет ∼ 6,4⋅109 см–2. Ключевые слова: тонкие оксидные пленки, слоистые кристаллы, топология поверхности, атом- но-силовая микроскопия. SURFACE TOPOLOGY OF CdO THIN OXIDE FILMS FORMED ON VAN DER WAALS SURFACES OF InSe AND GaSe LAYERED CRYSTALS Z.R. Kudrinckij Thin films of CdO were fabricated by dc reactive magnetron sputtering onto van der Waals surfaces of InSe and GaSe layered crystals. The structure of the films was studied by X-ray diffraction method. Surface topology of the obtained films was investigated by atomic force microscopy. It was established that the surface is nanostructured, but the growth of the films differs on InSe and GaSe substrates. On InSe substrate one can observe nanoobjects in the form of separate hills and their clusters. The density of such nanoobjects is ∼ 2,25⋅1010 cm–2. The peculiarity of surface topology of CdO films on GaSe is that the nanoobjects are distributed uniformly and have domelike shape. There is no tendency to formation of clusters of such nanoobjects. It was estimated that the density of these nanoobjects is ∼ 6,4⋅109 cm–2. Keywords: thin oxide films, layered crystals, surface topology, atomic force microscopy.  Кудринський З.Р., 2013 ФІП ФИП PSE, 2013, т. 11, № 2, vol. 11, No. 2186 розташовані перпендикулярно вісі симетрії С гексагонального кристала. Всередині шарів зв’язок має іонно-ковалентний характер, су- сідні шари зв’язані слабкими зв’язками типу Ван-дер-Ваальса (ВдВ). Низька густина обір- ваних зв’язків на ВдВ-поверхні дозволяє ви- користовувати їх як підкладки для вирощуван- ня молекулярних [2], металевих [3] нанострук- тур, а також гетеропереходів (ГП) на основі напівпровідникових матеріалів з різною си- метрією і періодом кристалічної ґратки [4, 5]. Оксид кадмію (CdO) є одним з найбільш перспективних прозорих провідних оксидів [6] та має n-тип провідності. Останнім часом особливий інтерес викликає практичне вико- ристання CdO як широкозонного “вікна” для отримання ГП [7 – 9]. Дослідження закономірностей росту тон- ких оксидних плівок CdO та топології їх по- верхні необхідно для оптимізації фотоелект- ричних параметрів гетероструктур з їх вико- ристанням, зокрема n-CdO-p-InSe та n-CdO- p-GaSe. Метою даної роботи є вивчення кристаліч- ної структури та топології поверхні оксидних плівок CdO, сформованих на підкладках ШК InSe і GaSe. ЗРАЗКИ І МЕТОДИКА ЕКСПЕРИМЕНТУ Монокристали InSe та GaSe вирощувалися методом Бріджмена. Для отримання p-типу провідності монокристали InSe легувалися домішкою кадмію. Тонкі окcидні плівки CdO були напилені на ВдВ поверхні ШК InSe та GaSe методом маг- нетронного розпилення за методикою, опи- саною в роботі [10]. Дослідження кристалічної структури гете- роструктур CdO-InSe та CdO-GaSe проводи- лися методом рентгеноструктурного аналізу на установці ДРОН-3, зібраній за схемою Брегг-Брентано, в монохроматичному СuКα- випромінюванні (λ = 1,5418 C). Для обробки отриманих дифрактограм використовували програмне забезпечення LАТТIК–КАRТА. Поверхневу топологію тонких плівок CdO досліджували методом атомно-силової мікро- скопії (АСМ) з допомогою обладнання Nano- scope IIIa Dimension 3000 SPM (Digital Instru- ments, USA). РЕЗУЛЬТАТИ І ЇХ ОБГОВОРЕННЯ Дифрактограма гетероструктури CdO-InSe показана на рис. 1., де крім відбивань підклад- ки InSe зареєстровані також 111, 200, 220, 311, 222 відбивання сполуки CdO. З проведеного аналізу встановлено, що параметри ґратки підкладки InSe становлять: а = 4,002 C, c = 24,9678 C. Плівка CdO є полікристалічною з кубічною кристалічною структурою та на- ступним параметром ґратки а = 4,6954 C, що співпадає з літературними значеннями [11]. На рис. 2 показано дифрактограму гетеро- структури CdO-GaSe, де крім відбивань під- кладки GaSe зареєстровані також 111, 200, 220, 311, 222 відбивання сполуки CdO. Встанов- лено, що параметри ґратки підкладки GaSe становлять: а = 3,7542 C, c = 15,9526 C. Плів- ка CdO є полікристалічною з кубічною криста- лічною структурою та наступним параметром ґратки а = 4,6949 C, що узгоджується з літера- турними даними [11]. Рис. 1. Дифрактограма гетероструктури CdO-InSe. Стрілками вказані піки CdO. Рис. 2. Дифрактограма гетероструктури CdO-GaSe. Стрілками вказані піки CdO. ТОПОЛОГІЯ ПОВЕРХНІ ТОНКИХ ОКСИДНИХ ПЛІВОК CdO, СФОРМОВАНИХ НА ВАН-ДЕР-ВААЛЬСОВИХ ПОВЕРХНЯХ ШАРУВАТИХ ... 187 Топологія поверхні тонких плівок CdO до- сліджувалась за допомогою АСМ-зображень. На рис. 3 показано тривимірне зображення довільного фрагмента поверхні плівки CdO, напиленої на ВдВ поверхню ШК InSe. З рис. 3 випливає, що поверхня оксиду не є гладкою. Вона характеризується певною шорсткістю у вигляді нанооб’єктів, які мають вигляд окремих пагорбів, скупчених у різні форми. Слід зазначити, що поверхня шаруватих кристалів представляє собою природний скол. Оскільки зв’язок між шарами є ВдВ типу, тому розірваних хімічних зв’язків обмаль, або їх роль незначна. Така специфіка зв’язків ви- значає інертні властивості поверхні. Попере- дні дослідження топології природних повер- хонь ШК InSe і GaSe свідчать, що вони близь- ка до атомарної гладкості [12, 13]. Формування оксиду CdO на поверхні InSe свідчить, навпаки, про те, що нарощування ша- рів молекул оксиду відбувається не за комп- ланарним принципом. Як видно з рис. 3 оки- сні ділянки (світлі плями) мають вигляд пагор- бів, які розміщені над недоокисленими ділян- ками (темні плями). Пагорби оксиду існують як у вигляді окремих ділянок поверхні, так і у вигляді скупчень різної густини та форми. Така структура топології оксиду вказує на те, що кінетика зародження фаз оксиду має характер хаотичного зародження острівців оксиду з по- дальшим їх злиттям в більші скупчення. При цьому кінцева форма топології оксиду набуває вигляду пагорбів з різними розмірами. Для оцінки підвищень оксиду у вигляді па- горбів було проведено аналіз довільного попе- речного перерізу поверхні, що зображено на рис. 4. Як видно з рис. 4 відхилення підвищень від базової площини становлять < 5 нм, що на порядок вище атомних розмірів оксиду. Рис. 4 дозволяє з’ясувати орієнтовну густину наноутворень у вигляді похилих конусів на по- верхні оксиду. На відстані 1 мкм їх кількість становить – 15 пагорбів. Тому густина наноут- ворень досягає величини ∼ 2,25⋅1010 см–2. Хоча кристали GaSe і InSe мають багато схожих фізичних властивостей, які зумовлені їх анізотропією, нарощування плівок оксиду у них відрізняється. Цю різницю можна по- в’язати з тим, що перед нарощуванням плівок оксиду кадмію має місце формування тонких шарів власних оксидів. Але якщо для кристалів GaSe власним оксидом є Ga2O3, що володіє діелектричними властивостями, то для InSe – Іn2O3 з провідними властивостями. Рис. 3. Тривимірне АСМ-зображення довільного фра- гмента поверхні плівки CdO, напиленої на ВдВ поверхню ШК InSe. а) Рис. 4. Двовимірне АСМ-зображення довільного фра- гмента поверхні плівки CdO, напиленої на ВдВ поверхню ШК InSe (а), та її поперечний переріз (б). КУДРИНСЬКИЙ З.Р. ФІП ФИП PSE, 2013, т. 11, № 2, vol. 11, No. 2 б) ФІП ФИП PSE, 2013, т. 11, № 2, vol. 11, No. 2188 На рис. 5 зображено тривимірні АСМ-зо- браження поверхневих наноутворень оксиду CdO на ВдВ поверхні ШК GaSe. Їх особли- вістю є те, що вони рівномірно розміщені по фрагменту досліджуваної поверхні. Слід відзначити, що їх форма також відрізняється від форм поверхневих наноутворень CdO на ВдВ поверхні InSe. Наноутворення мають куполоподібний вигляд, причому схильність до утворення скупчень у них відсутня. Особливості геометричних розмірів нано- утворень CdO на GaSe добре видно з рис. 6, на якому представлено довільний фрагмент поверхні в двовимірному зображенні і до- вільний поперечний переріз цієї поверхні. Оцінка густини такого типу наноутворень по- казує, що вона становить ∼ 6,4⋅109 см–2. Висота куполів досягає розмірів ∼ 8 – 9 нм, а радіус їх основ – ∼ 35 – 40 нм. ВИСНОВКИ Вперше отримані гетероструктури CdO-InSe та CdO-GaSe. Методом рентгеноструктур- ного аналізу досліджено структуру плівок CdO. Проведено дослідження їх поверхонь методом АСМ. Встановлено, що поверхні ок- сидних плівок CdO, сформованих на підклад- ках ШК InSe та GaSe, є наноструктурованими. Формування оксиду CdO на ВдВ поверхні InSe свідчить про те, що нарощування шарів молекул оксиду відбувається не за компланар- ним принципом. Окисні ділянки мають ви- гляд пагорбів, які розміщені над недоокисле- ними ділянками. Пагорби оксиду існують як у вигляді окремих ділянок поверхні, так і у ви- гляді скупчень різної густини та форми. Така структура топології оксиду вказує на те, що кі- нетика зародження фаз оксиду має характер хаотичного зародження острівців оксиду з по- дальшим їх злиттям в більші скупчення. При цьому кінцева форма топології оксиду набуває вигляду пагорбів з різними розмірами. Вста- новлено, що густина наноутворень досягає ве- личини ∼ 2,25⋅1010 см-2. Особливістю поверхневої топології оксиду CdO на ВдВ поверхні GaSe є те, що наноутво- рення розміщені рівномірно по фрагменту до- сліджуваної поверхні. Їх форма також відріз- няється від форм поверхневих наноутворень CdO на ВдВ поверхні InSe. Наноутворення ма- ють куполоподібний вигляд, причому схиль- ність до утворення скупчень у них відсутня. Оцінка густини такого типу наноутворень по- казує, що вона становить ∼ 6,4⋅109 см–2. Різний характер нарощуванням плівок оксиду кадмію на підкладках InSe і GaSe по- в’язується з тим, що перед нарощування цих Рис. 5. Тривимірне АСМ-зображення довільного фрагмента поверхні плівки CdO, напиленої на ВдВ по- верхню ШК GaSe. а) б) Рис. 6. Двовимірне АСМ-зображення довільного фрагмента поверхні плівки CdO, напиленої на ВдВ поверхню ШК GaSe (а), та її поперечний переріз (б). ТОПОЛОГІЯ ПОВЕРХНІ ТОНКИХ ОКСИДНИХ ПЛІВОК CdO, СФОРМОВАНИХ НА ВАН-ДЕР-ВААЛЬСОВИХ ПОВЕРХНЯХ ШАРУВАТИХ ... 189 плівок мало місце формування тонких шарів власних оксидів, яких важко уникнути. Власні оксидні плівки, Іn2O3 та Ga2O3, сильно відріз- няються за своїми властивостями, а тому ма- ють різний вплив на нарощування плівок CdO. ЛІТЕРАТУРА 1. Terhell I.C.I. Polytypism in the III-VI layer com- pounds//Progress in Crystal Growth and Chara- cterization. – 1983. – № 7. – P. 55-110. 2. Ueno K., Sasaki K., Saiki K., Koma A. A novel method to fabricate a molecular quantum struc- ture: selective growth of C60 on layered material heterostructures//Japanese Journal of Applied Physics. – 1999. – Vol. 38, № 1B. – P. 511-514. 3. Jaegermann W., Pettenkofer C., Parkinson B.A. Cu and Ag deposition on layered p-type WSe2: approaching the Schottky limit//Phys. Rev. B. – 1990. – Vol. 42, № 12. – P. 7487-7495. 4. Wisotzki N., Klein A., Jaegermann W. Quasi van der Waals epitaxy of ZnSe on the layered cha- lcogenides InSe and GaSe//Thin Solid Films. – 2000. – Vo9l. 380, № 1-2. – P. 263-265. 5. Бахтинов А.П., Водопьянов В.Н., Слынь- ко Е.И., Ковалюк З.Д., Литвин О.С. Самоор- ганизация нано-структур теллуридов свинца и олова на Ван-дер-Ваальсовой поверхности селенида галлия (0001)// Письма ЖТФ. – 2007. – Т. 33, № 2. – С. 80-88. 6. Lokhande B.J., Patil P.S., Uplane M.D. Studies on cadmium oxide sprayed thin films deposited through non-aqueous medium//Materials Che- mistry and Physics. – 2004. – Vol. 84, № 2-3. – P. 238-242. 7. Caglar M., Yakuphanoglu F. Fabrication and ele- ctrical characterization of flower-like CdO/p-Si heterojunction diode//J. Phys. D: Appl. Phys. – 2009. – Vol. 42, № 4. – P. 045102(1)-045102(5). 8. Karatas S., Yakuphanoglu F. Analysis of electro- nic parameters of nanostructure copper doped cadmium oxide/p-silicon heterojunction//Journal of Alloys and Compounds. – 2012. – Vol. 537. – P. 6-11. 9. Sravani C., Reddy K.T.R., Hussain O.Md., Jayarama Reddy P. Investigations on n-CdO/p- CdTe thin film heterojunctions//Thin Solid Films. – 1994. – Vol. 253. – № 1-2. – P. 339-343. 10. Брус В.В., Илащук М.И., Хомяк В.В., Кова- люк З.Д., Марьянчук П.Д., Уляницкий К.С. Электрические свойства анизотипных гете- ропереходов n-CdZnO/p-CdTe//ФТП. – 2012. – Т. 46, № 9. – С. 1175-1180. 11. Новоселова А.В., Лазарев В.Б., Медведе- ва З.С. и др. Физико-химические свойства по-лупроводниковых веществ: Справочник. – М.: Наука, 1979. – 339 с. 12. Катеринчук В.Н., Ковалюк З.Д. Топология и особенности электросопротивления оксидной пленки InSe //Неорганические материалы. – 2011. – Т. 47, № 7. – С. 834-837. 13. Бахтинов А.П., Водопьянов В.Н., Кова- люк З.Д., Нетяга В.В., Литвин О.С. Электри- ческие свойства гибридных структур (ферро- магнитный метал)-(слоистый полупроводник) Ni/p-GaSe//ФТП. – 2010. – Т. 44, № 2. – С. 180-193. LІTERATURA 1. Terhell I.C.I. Polytypism in the III-VI layer com- pounds//Progress in Crystal Growth and Charac- terization. – 1983. – № 7. – P. 55-110. 2. Ueno K., Sasaki K., Saiki K., Koma A. A novel method to fabricate a molecular quantum struc- ture: selective growth of C60 on layered material heterostructures//Japanese Journal of Applied Physics. – 1999. – Vol. 38, № 1B. – P. 511-514. 3. Jaegermann W., Pettenkofer C., Parkinson B.A. Cu and Ag deposition on layered p-type WSe2: approaching the Schottky limit//Phys. Rev. B. – 1990. – Vol. 42, № 12. – P. 7487-7495. 4. Wisotzki N., Klein A., Jaegermann W. Quasi van der Waals epitaxy of ZnSe on the layered chal- cogenides InSe and GaSe//Thin Solid Films. – 2000. – Vo9l. 380, № 1-2. – P. 263-265. 5. Bahtinov A.P., Vodop’yanov V.N., Slyn’ko E.I., Kovalyuk Z.D., Litvin O.S. Samoorganizaciya nanostruktur telluridov svinca i olova na Van-der- Vaal’sovoj poverhnosti selenida galliya (0001)// Pis’ma ZhTF. – 2007. – T. 33, № 2. - S. 80-88. 6. Lokhande B.J., Patil P.S., Uplane M.D. Studies on cadmium oxide sprayed thin films deposited through non-aqueous medium//Materials Che- mistry and Physics. – 2004. – Vol. 84, № 2-3. – P. 238-242. 7. Caglar M., Yakuphanoglu F. Fabrication and elec- trical characterization of flower-like CdO/p-Si heterojunction diode//J. Phys. D: Appl. Phys. – 2009. – Vol. 42, № 4. – P. 045102(1)-045102(5). 8. Karatas S., Yakuphanoglu F. Analysis of electro- nic parameters of nanostructure copper doped cadmium oxide/p-silicon heterojunction//Journal of Alloys and Compounds. – 2012. – Vol. 537. – P. 6-11. 9. Sravani C., Reddy K.T.R., Hussain O.Md., Jayarama Reddy P. Investigations on n-CdO/p- CdTe thin film heterojunctions//Thin Solid Films. – 1994. – Vol. 253. – № 1-2. – P. 339-343. КУДРИНСЬКИЙ З.Р. ФІП ФИП PSE, 2013, т. 11, № 2, vol. 11, No. 2 ФІП ФИП PSE, 2013, т. 11, № 2, vol. 11, No. 2190 10. Brus V.V., Ilaschuk M.I., Homyak V.V., Kova- lyuk Z.D., Mar’yanchuk P.D., Ulyanickij K.S. ‘Elektricheskie svojstva anizotipnyh geteroper- ehodov n-CdZnO/p-CdTe//FTP. – 2012. – T. 46, № 9. – S. 1175-1180. 11. Novoselova A.V., Lazarev V.B., Medvedeva Z.S. i dr. Fiziko-himicheskie svojstva poluprovodni- kovyh veschestv: Spravochnik. – M.: Nauka, 1979. – 339 s. 12. Katerinchuk V.N., Kovalyuk Z.D. Topologiya i osobennosti ‘elektrosoprotivleniya oksidnoj plen- ki InSe//Neorganicheskie materialy. – 2011. – T. 47, № 7. – S. 834-837. 13. Bahtinov A.P., Vodopyanov V.N., Kovalyuk Z.D., Netyaga V.V., Litvin O.S. ‘Elektricheskie svojst- va gibridnyh struktur (ferromagnitnyj metal)-(slo- istyj poluprovodnik) Ni/p-GaSe//FTP. - 2010. – T. 44, № 2. – S. 180-193. ТОПОЛОГІЯ ПОВЕРХНІ ТОНКИХ ОКСИДНИХ ПЛІВОК CdO, СФОРМОВАНИХ НА ВАН-ДЕР-ВААЛЬСОВИХ ПОВЕРХНЯХ ШАРУВАТИХ ...

Ähnliche Einträge