Тонкопленочные детекторные CdTe-структуры с барьером Шоттки
Для детекторов короткопробежных частиц созданы пленочные CdTe-детекторные структуры с барьером Шоттки. Структуры изготовлены на основе крупноблочных p-CdTе пленок с удельным сопротивлением ρ ∼ 10⁷ Ом⋅cм. Кристаллиты пленок расположены ортогонально к плоскости Мо-подложки, на которой они сформирова...
Gespeichert in:
| Datum: | 2013 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2013
|
| Schriftenreihe: | Физическая инженерия поверхности |
| Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/99829 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Тонкопленочные детекторные CdTe-структуры с барьером Шоттки / Ш.А. Мирсагатов, А.С. Ачилов, Б.Н. Заверюхин // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 216–222. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | Для детекторов короткопробежных частиц созданы пленочные CdTe-детекторные структуры
с барьером Шоттки. Структуры изготовлены на основе крупноблочных p-CdTе пленок с удельным сопротивлением ρ ∼ 10⁷ Ом⋅cм. Кристаллиты пленок расположены ортогонально к плоскости Мо-подложки, на которой они сформированы. Исследованы вольт-фарадные, вольтамперные
и шумовые характеристики структур. Структуры регистрировали α-частицы с энергией 5.482
MэВ от источника Am²⁴¹. Энергетическое разрешение R-структур составляет величину 22 ÷
29 кэВ при напряжениях смещения V = 5 − 8 В и T = 293 K. При повышении величины V происходит инжекция неосновных носителей в базу структур. Установлено, что источником инжекции электронов в базу является Мо-контакт и соединение MoO₃ вблизи него. |
|---|