Исследования температурной зависимости ширины запрещенной зоны Si и Ge с помощью модели - Шарибаев, Н.Ю. (Физическая инженерия поверхности, 2013)
С помощью модели разложения плотности состояния в ряд по GN(Ei, Et, T)-функциям производной вероятности ионизации дискретных состояний по энергии исследована температурная зависимость ширины запрещенной зоны для Si и Ge. Результаты численных экспериментов указывают на то, что ширина запрещенной зоны для Si и Ge, если в запрещенной зоне отсутствуют энергетические уровни, при низких температурах шире чем значения, полученные в эксперименте: Si – 0.018 эВ, Ge – 0.008 эВ.