Тензорезистивный эффект в системе потенциальных барьеров в полупроводниковых пленках
У роботі запропонована модель тензочутливої напівпровідникової плівки, відповідно до якої, плівка розглядається як система потенційних бар’єрів. Розглянута тензочутливість системи потенційних бар’єрів. Показано, що модель відповідно до якої при деформації міняється тільки ширина потенційного б...
Saved in:
| Date: | 2013 |
|---|---|
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2013
|
| Series: | Физическая инженерия поверхности |
| Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/99834 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Тензорезистивный эффект в системе потенциальных барьеров в полупроводниковых пленках / Г. Гулямов, A.Г. Гулямов, Г.Н. Мажидова // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 243–245. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Summary: | У роботі запропонована модель тензочутливої напівпровідникової плівки, відповідно до якої,
плівка розглядається як система потенційних бар’єрів. Розглянута тензочутливість системи
потенційних бар’єрів. Показано, що модель відповідно до якої при деформації міняється тільки
ширина потенційного бар’єру може пояснити аномально більші значення коефіцієнта тензочутливості тонких плівок Bi₂Te₃ і Sb₂Te₃, отриманих вакуумним напилюванням. |
|---|