Тензорезистивный эффект в системе потенциальных барьеров в полупроводниковых пленках
У роботі запропонована модель тензочутливої напівпровідникової плівки, відповідно до якої, плівка розглядається як система потенційних бар’єрів. Розглянута тензочутливість системи потенційних бар’єрів. Показано, що модель відповідно до якої при деформації міняється тільки ширина потенційного б...
Saved in:
| Date: | 2013 |
|---|---|
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2013
|
| Series: | Физическая инженерия поверхности |
| Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/99834 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Тензорезистивный эффект в системе потенциальных барьеров в полупроводниковых пленках / Г. Гулямов, A.Г. Гулямов, Г.Н. Мажидова // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 243–245. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-99834 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-998342016-05-05T03:02:12Z Тензорезистивный эффект в системе потенциальных барьеров в полупроводниковых пленках Гулямов, Г. Гулямов, A.Г. Мажидова, Г.Н. У роботі запропонована модель тензочутливої напівпровідникової плівки, відповідно до якої, плівка розглядається як система потенційних бар’єрів. Розглянута тензочутливість системи потенційних бар’єрів. Показано, що модель відповідно до якої при деформації міняється тільки ширина потенційного бар’єру може пояснити аномально більші значення коефіцієнта тензочутливості тонких плівок Bi₂Te₃ і Sb₂Te₃, отриманих вакуумним напилюванням. В работе предложена модель тензочувствительной полупроводниковой пленки, согласно которой, пленка рассматривается как система потенциальных барьеров. Рассмотрена тензочувствительность системы потенциальных барьеров. Показано, что модель согласно которой при деформации меняется только ширина потенциального барьера может объяснить аномально большие значения коэффициента тензочувствительности тонких пленок Bi₂Te₃ и Sb₂Te₃, полученных вакуумным напылением In the work proposed model of the tensosensitive semiconductor film according to which, the film is considered as system of potential barriers. It is considered tensosensitive systems of potential barriers. It is shown that the model according to which at deformation varies only width of a potential barrier can explain is abnormal great values of factor tensosensitive thin film Bi₂Te₃ and Sb₂Te₃, receptions by a vacuum dusting. 2013 Article Тензорезистивный эффект в системе потенциальных барьеров в полупроводниковых пленках / Г. Гулямов, A.Г. Гулямов, Г.Н. Мажидова // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 243–245. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. 1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/99834 539.21: 621.315.592 ru Физическая инженерия поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| description |
У роботі запропонована модель тензочутливої напівпровідникової плівки, відповідно до якої,
плівка розглядається як система потенційних бар’єрів. Розглянута тензочутливість системи
потенційних бар’єрів. Показано, що модель відповідно до якої при деформації міняється тільки
ширина потенційного бар’єру може пояснити аномально більші значення коефіцієнта тензочутливості тонких плівок Bi₂Te₃ і Sb₂Te₃, отриманих вакуумним напилюванням. |
| format |
Article |
| author |
Гулямов, Г. Гулямов, A.Г. Мажидова, Г.Н. |
| spellingShingle |
Гулямов, Г. Гулямов, A.Г. Мажидова, Г.Н. Тензорезистивный эффект в системе потенциальных барьеров в полупроводниковых пленках Физическая инженерия поверхности |
| author_facet |
Гулямов, Г. Гулямов, A.Г. Мажидова, Г.Н. |
| author_sort |
Гулямов, Г. |
| title |
Тензорезистивный эффект в системе потенциальных барьеров в полупроводниковых пленках |
| title_short |
Тензорезистивный эффект в системе потенциальных барьеров в полупроводниковых пленках |
| title_full |
Тензорезистивный эффект в системе потенциальных барьеров в полупроводниковых пленках |
| title_fullStr |
Тензорезистивный эффект в системе потенциальных барьеров в полупроводниковых пленках |
| title_full_unstemmed |
Тензорезистивный эффект в системе потенциальных барьеров в полупроводниковых пленках |
| title_sort |
тензорезистивный эффект в системе потенциальных барьеров в полупроводниковых пленках |
| publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| publishDate |
2013 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/99834 |
| citation_txt |
Тензорезистивный эффект в системе потенциальных барьеров в полупроводниковых пленках / Г. Гулямов, A.Г. Гулямов, Г.Н. Мажидова // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 243–245. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
| series |
Физическая инженерия поверхности |
| work_keys_str_mv |
AT gulâmovg tenzorezistivnyjéffektvsistemepotencialʹnyhbarʹerovvpoluprovodnikovyhplenkah AT gulâmovag tenzorezistivnyjéffektvsistemepotencialʹnyhbarʹerovvpoluprovodnikovyhplenkah AT mažidovagn tenzorezistivnyjéffektvsistemepotencialʹnyhbarʹerovvpoluprovodnikovyhplenkah |
| first_indexed |
2025-07-07T09:58:58Z |
| last_indexed |
2025-07-07T09:58:58Z |
| _version_ |
1836981775625093120 |
| fulltext |
243
ВВЕДЕНИЕ
В некоторых полупроводниковых плёнках
Bi2Te3 и Sb2 Te3, полученных вакуумным напы-
лением, наблюдается аномально большая
тензочувствительность [1]. Условия напыле-
ния сильно влияют на электрические свойст-
ва полученных плёнок. В работе [1] свойст-
ва пленок, полученных вакуумным напыле-
нием, объясняются привлечением модели
наночастиц. В этой работе предполагается,
что размеры поликристаллических зерен сос-
тавляет порядка нескольких десятков нано-
метров. В этих условиях между наночасти-
цами могут возникать потенциальные ба-
рьеры. Целью настоящей работы является
исследование тензочувствительности систе-
мы потенциальных барьеров. Разумно пред-
положить, что расположение кристаллитов,
таково, что между зернами образуются потен-
циальные барьеры толщиной несколько нано-
метров. Через такие барьеры проникают тун-
нельные и термоэмиссионные токи. За счет
случайного расположения кристаллитов, по-
тенциальные барьеры между ними имеют
случайные толщины. Ток, проходящий через
такие структуры, вычисляется по теории про-
текания [2]. При этом уровень протекания оп-
ределяет сопротивление потенциальных ба-
рьеров. Эти барьеры расположены как слу-
чайная сетка сопротивлений. Расчет такой
задачи в общем случае достаточно сложен, а
иногда невозможен из за отсутствия доста-
УДК: 539.21: 621.315.592
ТЕНЗОРЕЗИСТИВНЫЙ ЭФФЕКТ В СИСТЕМЕ ПОТЕНЦИАЛЬНЫХ
БАРЬЕРОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛЕНКАХ
Г. Гулямов, A.Г. Гулямов, Г.Н. Мажидова
Наманганский инженерно-педагогический институт
Узбекистан
Поступила 28.01.2013
В работе предложена модель тензочувствительной полупроводниковой пленки, согласно которой,
пленка рассматривается как система потенциальных барьеров. Рассмотрена тензочувствитель-
ность системы потенциальных барьеров. Показано, что модель согласно которой при де-
формации меняется только ширина потенциального барьера может объяснить аномально боль-
шие значения коэффициента тензочувствительности тонких пленок Bi2Te3 и Sb2Te3, полученных
вакуумным напылением.
Ключевые слова: тензочувствительность, прозрачность потенциального барьера, полупровод-
никовые тензочувствительные пленки.
ТЕНЗОРЕЗИСТИВНИЙ ЕФЕКТ У СИСТЕМІ ПОТЕНЦІЙНИХ БАР’ЄРІВ У
НАПІВПРОВІДНИКОВИХ ПЛІВКАХ
Г. Гулямов, A.Г. Гулямов, Г.Н. Мажідова
У роботі запропонована модель тензочутливої напівпровідникової плівки, відповідно до якої,
плівка розглядається як система потенційних бар’єрів. Розглянута тензочутливість системи
потенційних бар’єрів. Показано, що модель відповідно до якої при деформації міняється тільки
ширина потенційного бар’єру може пояснити аномально більші значення коефіцієнта тен-
зочутливості тонких плівок Bі2Te3 і Sb2Te3, отриманих вакуумним напилюванням.
Ключові слова: тензочувствительность, прозорість потенційного бар’єра, напівпровідникові
тензочувствительные плівки.
TENSORESISTIVE EFFECT IN THE SYSTEM POTENTIAL BARRIERS IN
SEMICONDUCTOR FILMS
G. Gulyamov, A.G. Gulyamov, G.N. Mazhydova
In the work proposed model of the tensosensitive semiconductor film according to which, the film is
considered as system of potential barriers. It is considered tensosensitive systems of potential bar-
riers. It is shown that the model according to which at deformation varies only width of a potential
barrier can explain is abnormal great values of factor tensosensitive thin film Bi2Te3 and Sb2 Te3, re-
ceptions by a vacuum dusting.
Keywords: tensosensitive, transparency of potential barrier, semiconductor tensosensitive thin films.
Гулямов Г., Гулямов A.Г., Мажидова Г.Н., 2013
245
пленках Bi2Te3 и Sb2 Te3, полученных вакуум-
ным напылением.
ЛИТЕРАТУРА
1. Шамирзаев Х., Юсупова Д.А., Мухамеди-
ев Э.Д., Онар›улов К.Э.//Физическая инже-
нерия поверхности. – 2006. – T. 4, № 1-2. –
C. 86-90.
2. Шкловский Б., Эфрос А.Л. Электронные свой-
ства легиранных полупроводников. – М.: Нау-
ка, 1979.
3. Ландау Л.Д., Лифщиц Е.М. Квантовая меха-
ника. – М.: Наука, 1974.
4. Киреев П.С. Физика полупроводников. – М.:
Высшая школа, 1975.
5. Баранский П.И., Клочков В.П., Потыке-
вич И.В. Полупроводниковая электроника.
Справочник. – К.: Наукова думка, 1975.
LITERATURA
1. Shamirzaev H., Yusupova D.A., Muhamedi-
ev ‘E.D., Onarkulov K.‘E.//Fizicheskaya inzhe-
neriya poverhnosti. – 2006. – T. 4, № 1-2. –
C. 86-90.
2. Shklovskij B., ‘Efros A.L. ‘Elektronnye svojstva
legirannyh poluprovodnikov. - M.: Nauka, 1979.
3. Landau L.D., Lifschic E.M. Kvantovaya meha-
nika. – M.: Nauka, 1974.
4. Kireev P.S. Fizika poluprovodnikov. – M.: Vys-
shaya shkola, 1975.
5. Baranskij P.I., Klochkov V.P., Potykevich I.V.
Poluprovodnikovaya ‘elektronika. Spravochnik.
– K.: Naukova dumka, 1975.
ГУЛЯМОВ Г., ГУЛЯМОВ A.Г., МАЖИДОВА Г.Н.
ФІП ФИП PSE, 2013, т. 11, № 2, vol. 11, No. 2
|