Тензорезистивный эффект в системе потенциальных барьеров в полупроводниковых пленках - Гулямов, Г.; Гулямов, A.Г.; Мажидова, Г.Н. (Физическая инженерия поверхности, 2013)
У роботі запропонована модель тензочутливої напівпровідникової плівки, відповідно до якої, плівка розглядається як система потенційних бар’єрів. Розглянута тензочутливість системи потенційних бар’єрів. Показано, що модель відповідно до якої при деформації міняється тільки ширина потенційного бар’єру може пояснити аномально більші значення коефіцієнта тензочутливості тонких плівок Bi₂Te₃ і Sb₂Te₃, отриманих вакуумним напилюванням.