Тензорезистивный эффект в системе потенциальных барьеров в полупроводниковых пленках
У роботі запропонована модель тензочутливої напівпровідникової плівки, відповідно до якої, плівка розглядається як система потенційних бар’єрів. Розглянута тензочутливість системи потенційних бар’єрів. Показано, що модель відповідно до якої при деформації міняється тільки ширина потенційного б...
Gespeichert in:
Datum: | 2013 |
---|---|
Hauptverfasser: | Гулямов, Г., Гулямов, A.Г., Мажидова, Г.Н. |
Format: | Artikel |
Sprache: | Russian |
Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2013
|
Schriftenreihe: | Физическая инженерия поверхности |
Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/99834 |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Zitieren: | Тензорезистивный эффект в системе потенциальных барьеров в полупроводниковых пленках / Г. Гулямов, A.Г. Гулямов, Г.Н. Мажидова // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 243–245. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
-
Тензорезистивный эффект в поликристаллической многослойной пленке
von: Шкурдода, Ю.А., et al.
Veröffentlicht: (2010) -
Тензорезистивный эффект в поликристаллических полупроводниках с учетом продольных и поперечных поверхностных электронных состояний
von: Сулаймонов, Х.М., et al.
Veröffentlicht: (2015) -
Исследование влияния потенциальных барьеров на механизмы токопереноса во встречновключенных двухбарьерных кремниевых структур
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2011) -
Фазовые портреты деформационных эффектов на тензочувствительных плёнках Bi₂Te₃ и Sb₂Te₃
von: Шамирзаев, C.Х., et al.
Veröffentlicht: (2011) -
Теория АФН-эффекта с демберовским механизмом в полупроводниковых пленках
von: Набиев, Г.А.
Veröffentlicht: (2008)