GaAs диоды Ганна с AlAs-GaAs-AlAs резонансно туннельным катодом
На основе двухтемпературной модели междолинного переноса электронов в GaAs разработана методика исследования диодов Ганна с туннельной инжекцией электронов из катодного контакта. Изучены физические явления, связанные с эффектами междолинного переноса электронов в активной области и резонансного тунн...
Gespeichert in:
| Datum: | 2006 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Радіоастрономічний інститут НАН України
2006
|
| Schriftenreihe: | Радиофизика и радиоастрономия |
| Schlagworte: | |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | GaAs диоды Ганна с AlAs-GaAs-AlAs резонансно туннельным катодом / И.П. Стороженко, Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула // Радиофизика и радиоастрономия. — 2006. — Т. 11, № 4. — С. 385-396. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSchreiben Sie den ersten Kommentar!