Формирование никель-платинового силицидного слоя в качестве барьерного для диода Шоттки - Кучинский, П.В.; Комаров, Ф.Ф.; Мильчанин, О.В.; Ковалева, Т.Б.; Солодуха, В.А.; Турцевич, А.С.; Соловьев, Я.А.; Гапоненко, С.В. (Электрические контакты и электроды, 2014)
Предложен новый метод формирования барьера Шоттки, который включает магнетронное нанесение из многокомпонентной мишени, содержащей ванадий, платину и никель, тонкой пленки на кремнии с последующей ступенчатой термообработкой. С использованием данного метода изготовлены диоды Шоттки с высотой барьера 0,69—0,71 В. Установлено, что барьерный слой состоит из силицидной фазы Ni1-xPtxSi.