Субмиллиметровый диод на арсенид–галлиевой наноструктуре
Рабочая частота диода субмиллиметрового диапазона на AlGaN/GaN однобарьерной наноструктуре с нерезонансным туннелированием электронов определяется инерционностью их туннелирования через потенциальный барьер этой структуры. С целью повышения рабочей частоты исследуется аналогичный диод на AlGaAs/GaAs...
Saved in:
| Date: | 2014 |
|---|---|
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
2014
|
| Series: | Радіофізика та електроніка |
| Subjects: | |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Субмиллиметровый диод на арсенид–галлиевой наноструктуре / Н.М. Гончарук, Н.Ф. Карушкин, В.А. Ореховский, В.В. Малышко // Радіофізика та електроніка. — 2014. — Т. 5(19), № 1. — С. 55-61. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |