Образование переходного диффузионного слоя "покрытие—подложка" при электрокристаллизации - Штапенко, Э.Ф.; Заблудовский, В.А.; Дудкина, В.В. (Металлофизика и новейшие технологии, 2014)
Рассмотрено образование переходного диффузионного слоя «покрытие—подложка» при электрокристаллизации. Результаты микрорентгено-спектрального анализа показали, что толщина диффузионного слоя при электроосаждении никеля на медной подложке составила 1,5—3 мкм при изменении катодного потенциала от 0,1 до 0,3 В, а при электроосаждении цинка на медной подложке – 0,5—2 мкм при изменении потенциала от 0,2 до 0,4 В. В рамках модели несовпадающих сфер в теории упругости рассчитаны энергии, необходимые для встраивания адсорбированных атомов никеля и цинка в кристаллическую решётку медной подложки. Показано, что для систем, образующих твёрдые растворы Ni—Cu и Zn—Cu, энергии, необходимые для встраивания атомов никеля или цинка в кристаллическую решётку медной подложки, являются достаточными, но недостаточными для встраивания атомов в кристаллическую решётку вольфрамовой подложки, что подтверждается результатами микрорентгеноспектрального анализа.