Формирование напряжений сжатия в тонких пленках при ионном облучении - Калиниченко, А.И.; Перепелкин, С.С.; Стрельницкий, В.Е. (Вопросы атомной науки и техники, 2007)
На основе модели нелокального термоупругого пика низкоэнергетического иона в веществе предложена модернизированная теория формирования напряжений сжатия в тонких пленках, осаждаемых при одновременном облучении потоком низкоэнергетических ионов. Выражение для величины напряжений сжатия в зависимости от потока и энергии ионов сравнивается с экспериментальными данными, полученными при осаждении пленок тетраэдрического аморфного углерода и AlN. Предлагаемая модель дает правильное описание напряжений сжатия в осаждаемых пленках при ионном облучении и с физически обоснованным выбором величины энергии активации кинетического процесса, ответственного за релаксацию напряжений.