Рентгенографическое исследование структуры и напряженного состояния алмазных покрытий, полученных в тлеющем разряде
Рентгенографически исследованы фазовый состав, субструктура и напряженное состояние в покрытиях, полученных на молибденовых подложках в H₂/CH₄-плазме тлеющего разряда, стабилизированного магнитным полем. Установлено, что в процессе осаждения в поверхностном слое подложек формируется карбид Mo₂C с ге...
Збережено в:
| Дата: | 2008 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2008
|
| Назва видання: | Вопросы атомной науки и техники |
| Теми: | |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Рентгенографическое исследование структуры и напряженного состояния алмазных покрытий, полученных в тлеющем разряде / И.И. Выровец, В.И. Грицына, С.Ф. Дудник, О.А. Опалев, Е.Н. Решетняк, В.Е. Стрельницкий // Вопросы атомной науки и техники. — 2008. — № 1. — С. 142-146. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Рентгенографически исследованы фазовый состав, субструктура и напряженное состояние в покрытиях, полученных на молибденовых подложках в H₂/CH₄-плазме тлеющего разряда, стабилизированного магнитным полем. Установлено, что в процессе осаждения в поверхностном слое подложек формируется карбид Mo₂C с гексагональной структурой, на поверхности которого растет поликристаллическая нетекстурированная алмазная пленка. Показано, что зерна алмаза в пленках характеризуются блочной структурой с размером блоков 60…70 нм, плотностью дислокаций в объеме блоков 10⁸ см⁻² и периодом кристаллической решетки а₀ = 0,3567 нм, характерным для природного алмаза. В пленках выявлены высокие сжимающие напряжения (до –2,8 ГПа), которые частично или полностью уравновешиваются растягивающими напряжениями карбидного слоя. Установлено, что предварительный “засев” подложки частицами алмазной пасты, стимулирующий увеличение плотности образования зародышей алмаза при осаждении, вызывает увеличение в 1,7 раза остаточных напряжений в алмазной пленке. |
|---|