Эмиссионные характеристики легированных азотом наноструктурных алмазных покрытий, синтезированных в плазме тлеющего разряда - Дудник, С.Ф.; Кошевой, К.И.; Нищенко, М.М.; Смольник, С.В.; Стрельницкий, В.Е.; Шевченко, Н.А. (Металлофизика и новейшие технологии, 2015)
Исследованы эмиссионные характеристики легированных азотом наноструктурных алмазных покрытий с удельным сопротивлением в диапазоне 2,3∙10⁴—4∙10¹ Ом∙см, полученных в плазме тлеющего разряда в различных условиях. Показано, что эмиссионный ток с поверхности образцов появляется после удаления примесей при отжиге в интервале 603—818 К, создающих поверхностные акцепторные электронные состояния p-типа, влияющие на работу выхода, определяемую методом контактной разницы потенциалов по смещению вольт-амперной характеристики. Для наноструктурного алмазного покрытия с удельным сопротивлением 2,4∙10² Ом∙см получено наиболее низкое значение работы выхода 1,28 эВ и наибольшая плотность тока 6,9 мА/см² при 963 К.