Влияние микроволнового облучения на токовое резистивное состояние широкой сверхпроводящей пленки

Экспериментально исследовано влияние высокочастотного электромагнитного поля на резистивное состояние широкой пленки, обусловленное протеканием постоянного тока. В этой ситуации резистивность возникает как следствие развития двух процессов: движения пирл-абрикосовских вихрей собственного магнитного...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Date:2009
Main Authors: Дмитриев, В.М., Золочевский, И.В., Саленкова, Т.В.
Format: Article
Language:Russian
Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2009
Series:Физика низких температур
Subjects:
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Влияние микроволнового облучения на токовое резистивное состояние широкой сверхпроводящей пленки / В.М. Дмитриев , И.В. Золочевский, Т.В. Саленкова // Физика низких температур. — 2009. — Т. 35, № 11. — С. 1089-1095. — Бібліогр.: 26 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Description
Summary:Экспериментально исследовано влияние высокочастотного электромагнитного поля на резистивное состояние широкой пленки, обусловленное протеканием постоянного тока. В этой ситуации резистивность возникает как следствие развития двух процессов: движения пирл-абрикосовских вихрей собственного магнитного поля тока и проскальзывания фазы сверхпроводящего параметра порядка. Показано, что под действием микроволнового облучения резистивность пленки, обусловленная вихревым механизмом, уменьшается и при больших уровнях мощности (Р > 0,4Рс) исчезает, при этом dc резистивность пленки обусловлена только процессами проскальзывания фазы, как в узких безвихревых каналах. Экспериментально установлено, что начиная с некоторого уровня мощности Р* < Рс электромагнитное поле играет определяющую роль в процессах возникновения линий проскальзывания фазы. Аналогичный вывод сделан и при исследовании влияния микроволнового поля на дифференциальное сопротивление центра проскальзывания фазы в узких безвихревых каналах, что говорит о единой природе процессов проскальзывания фазы в широких и узких пленках.