Belyaev, A., Pilipenko, V., Anischik, V., Petlitskaya, T., Klad’ko, V., Konakova, R., . . . Sheremet, V. (2013). Role of dislocations in formation of ohmic contacts to heavily doped n-Si. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.
Chicago Style (17th ed.) CitationBelyaev, A.E, et al. Role of Dislocations in Formation of Ohmic Contacts to Heavily Doped N-Si. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2013.
MLA (8th ed.) CitationBelyaev, A.E, et al. Role of Dislocations in Formation of Ohmic Contacts to Heavily Doped N-Si. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2013.
Warning: These citations may not always be 100% accurate.