Rana, A., Chand, N., & Kapoor, V. (2011). Impact of sidewall spacer on gate leakage behavior of nano-scale MOSFETs. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Rana, A.K, N. Chand, та V. Kapoor. Impact of Sidewall Spacer on Gate Leakage Behavior of Nano-scale MOSFETs. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2011.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Rana, A.K, et al. Impact of Sidewall Spacer on Gate Leakage Behavior of Nano-scale MOSFETs. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2011.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.