APA (7th ed.) Citation

Lysenko, V., Tyagulsky, I., Osiyuk, I., & Nazarov, A. (2007). Influence of traps in gate oxide-Si film transition layers on FD MOSFET's characteristics at cryogenic emperatures. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.

Chicago Style (17th ed.) Citation

Lysenko, V.S, I.P Tyagulsky, I.N Osiyuk, and A.N Nazarov. Influence of Traps in Gate Oxide-Si Film Transition Layers on FD MOSFET's Characteristics at Cryogenic Emperatures. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2007.

MLA (8th ed.) Citation

Lysenko, V.S, et al. Influence of Traps in Gate Oxide-Si Film Transition Layers on FD MOSFET's Characteristics at Cryogenic Emperatures. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2007.