Heat tolerance of titanium boride and titanium nitride contacts to gallium arsenide
For contacts prepared from titanium borides by and nitrides ion-plasma sputtering onto gallium arsenide both formation mechanisms and thermal stability were investigated. We used a combination of structural, secondary-emission, optical and electrophysical methods, such as electronography, X-ray diff...
Збережено в:
| Дата: | 1999 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
1999
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Heat tolerance of titanium boride and titanium nitride contacts to gallium arsenide / Ye.F. Venger, V.V. Milenin, I.B. Ermolovich, R.V. Konakova, D.I. Voitsikhovskiy, I. Hotovy, V.N. Ivanov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1999. — Т. 2, № 1. — С. 124-132. — Бібліогр.: 8 назв. — англ. |