Aw, K., & Ibrahim, K. (2003). Dual model describing effects of evaporated metal gate on low-k dielectric methylsilsesquioxane in metal oxide semiconductor capacitor structure. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Aw, K.C, та K. Ibrahim. Dual Model Describing Effects of Evaporated Metal Gate on Low-k Dielectric Methylsilsesquioxane in Metal Oxide Semiconductor Capacitor Structure. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2003.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Aw, K.C, та K. Ibrahim. Dual Model Describing Effects of Evaporated Metal Gate on Low-k Dielectric Methylsilsesquioxane in Metal Oxide Semiconductor Capacitor Structure. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2003.