APA (7th ed.) Citation

Aw, K., & Ibrahim, K. (2003). Dual model describing effects of evaporated metal gate on low-k dielectric methylsilsesquioxane in metal oxide semiconductor capacitor structure. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.

Chicago Style (17th ed.) Citation

Aw, K.C, and K. Ibrahim. Dual Model Describing Effects of Evaporated Metal Gate on Low-k Dielectric Methylsilsesquioxane in Metal Oxide Semiconductor Capacitor Structure. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2003.

MLA (8th ed.) Citation

Aw, K.C, and K. Ibrahim. Dual Model Describing Effects of Evaporated Metal Gate on Low-k Dielectric Methylsilsesquioxane in Metal Oxide Semiconductor Capacitor Structure. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2003.

Warning: These citations may not always be 100% accurate.