Zinc oxide for electronic, photovoltaic and optoelectronic applications
We demonstrate that the atomic layer deposition (ALD) technique has large potential to be widely used in a production of ZnO films for applications in electronic, photovoltaic (PV) and optoelectronic devices. Low growth temperature makes the ALD-grown ZnO films suitable for construction of various s...
Gespeichert in:
| Datum: | 2011 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2011
|
| Schriftenreihe: | Физика низких температур |
| Schlagworte: | |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Zinc oxide for electronic, photovoltaic and optoelectronic applications / M. Godlewski, E. Guziewicz, K. Kopalko, G. Łuka, M.I. Łukasiewicz, T. Krajewski, B.S. Witkowski, S. Gierałtowska // Физика низких температур. — 2011. — Т. 37, № 3. — С. 301–307. — Бібліогр.: 44 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSchreiben Sie den ersten Kommentar!