Электронная структура разбавленных магнитных полупроводников на основе теллурида свинца с примесью хрома
Исследованы кристаллическая структура, состав, гальваномагнитные и осцилляционные свойства сплавов Pb1–x–ySnxCryTe (x = 0; 0,05–0,30; y ≤ 0,01) при вариации состава матрицы и концентрации примеси хрома. Показано, что примесные атомы хрома растворяются в решетке в количестве не менее 1 мол.%, а дальн...
Saved in:
| Date: | 2011 |
|---|---|
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2011
|
| Series: | Физика низких температур |
| Subjects: | |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Электронная структура разбавленных магнитных полупроводников на основе теллурида свинца с примесью хрома / Е.П. Скипетров, Н.А. Пичугин, Е.И. Слынько, В.Е. Слынько // Физика низких температур. — 2011. — Т. 37, № 3. — С. 269–280. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Summary: | Исследованы кристаллическая структура, состав, гальваномагнитные и осцилляционные свойства сплавов Pb1–x–ySnxCryTe (x = 0; 0,05–0,30; y ≤ 0,01) при вариации состава матрицы и концентрации примеси хрома. Показано, что примесные атомы хрома растворяются в решетке в количестве не менее 1 мол.%, а дальнейшее увеличение концентрации хрома приводит к появлению микроскопических областей с повышенным содержанием хрома и включений соединений хрома с теллуром. Обнаружены уменьшение концентрации дырок, p–n-конверсия типа проводимости и стабилизация уровня Ферми резонансным уровнем хрома при увеличении содержания хрома. Определены начальные скорости изменения концентрации носителей заряда при легировании. В рамках двухзонного закона дисперсии Кейна рассчитаны зависимости концентрации электронов и уровня Ферми от концентрации олова и предложена диаграмма перестройки электронной структуры легированных хромом сплавов при изменении состава матрицы. |
|---|