Стиль цитування APA (7-ме видання)

Indutnyi, I., Michailovska, K., Min’ko, V., & Shepeliavyi, P. (2009). Effect of acetone vapor treatment on photoluminescence of porous nc-Si–SiOx nanostructures. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.

Чикаго стиль цитування (17-те видання)

Indutnyi, I.Z, K.V Michailovska, V.I Min’ko, та P.E Shepeliavyi. Effect of Acetone Vapor Treatment on Photoluminescence of Porous Nc-Si–SiOx Nanostructures. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2009.

Стиль цитування MLA (8-ме видання)

Indutnyi, I.Z, et al. Effect of Acetone Vapor Treatment on Photoluminescence of Porous Nc-Si–SiOx Nanostructures. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2009.