Высокочастотные спектры ЭПР синтетического алмаза и наноалмаза типа Ib при низких температурах

Методом электронного парамагнитного резонанса обнаружены и изучены спектры поглощения алмаза и наноалмаза типа Ib на парамагнитных центрах до и после облучения высокоэнергетическими электронами с энергией 2 МэВ в широком диапазоне частот (70–120 ГГц) и температур (4,2–90 К). Показано, что в алмазе...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Date:2013
Main Authors: Хацько, Е., Кобец, М., Дергачев, К., Кулбицкас, А., Растениене, Л., Вайшнорас, Р.
Format: Article
Language:Russian
Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2013
Series:Физика низких температур
Subjects:
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Высокочастотные спектры ЭПР синтетического алмаза и наноалмаза типа Ib при низких температурах / Е. Хацько, М. Кобец, К. Дергачев, А. Кулбицкас, Л. Растениене, Р. Вайшнорас // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 12. — С. 1355–1360. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Description
Summary:Методом электронного парамагнитного резонанса обнаружены и изучены спектры поглощения алмаза и наноалмаза типа Ib на парамагнитных центрах до и после облучения высокоэнергетическими электронами с энергией 2 МэВ в широком диапазоне частот (70–120 ГГц) и температур (4,2–90 К). Показано, что в алмазе наблюдаются линии поглощения спектра ЭПР, обусловленные наличием ростового ионакатализатора Ni¹⁺ и парамагнитным одиночным центром азота N⁰ . В наноалмазе наблюдаются линии поглощения спектра ЭПР центров с оборванными связями на поверхности монокристаллитов (поверхностные дефекты) и боковые линии, которые связаны с проявлением сверхтонкого взаимодействия в спектре.