APA (7th ed.) Citation

Hasanov, H., & Murguzov, M. (2008). Hall mobility of charge carriers in films of (PbX)₁₋x (Sm₂X₃)x semiconductors formed on porous silicon. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.

Chicago Style (17th ed.) Citation

Hasanov, H.A, and M.I Murguzov. Hall Mobility of Charge Carriers in Films of (PbX)₁₋x (Sm₂X₃)x Semiconductors Formed on Porous Silicon. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2008.

MLA (8th ed.) Citation

Hasanov, H.A, and M.I Murguzov. Hall Mobility of Charge Carriers in Films of (PbX)₁₋x (Sm₂X₃)x Semiconductors Formed on Porous Silicon. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2008.