Hall mobility of charge carriers in films of (PbX)₁₋x (Sm₂X₃)x semiconductors formed on porous silicon
Presented paper is devoted to studying the methods to prepare epitaxial films of (PbX)₁₋x(Sm₂X₃)x − (X – S, Se, Te; x = 0.04) semiconductors and to examine the Hall mobility of charge carriers in these films. It is revealed that the derived dependences μH (T) for the samples on values of the e...
Збережено в:
| Дата: | 2008 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2008
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Hall mobility of charge carriers in films of (PbX)₁₋x (Sm₂X₃)x semiconductors formed on porous silicon / H.A. Hasanov, M.I. Murguzov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2008. — Т. 11, № 4. — С. 356-359. — Бібліогр.: 7 назв. — англ. |