Стиль цитування APA (7-ме видання)

Sachenko, A., Gorban, A., & Kostylyov, V. (2000). Exciton-enhanced recombination in silicon at high concentrations of charge carriers. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.

Чикаго стиль цитування (17-те видання)

Sachenko, A.V, A.P Gorban, та V.P Kostylyov. Exciton-enhanced Recombination in Silicon at High Concentrations of Charge Carriers. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2000.

Стиль цитування MLA (8-ме видання)

Sachenko, A.V, et al. Exciton-enhanced Recombination in Silicon at High Concentrations of Charge Carriers. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2000.