Sachenko, A., Gorban, A., & Kostylyov, V. (2000). Exciton-enhanced recombination in silicon at high concentrations of charge carriers. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.
Chicago Style (17th ed.) CitationSachenko, A.V, A.P Gorban, and V.P Kostylyov. Exciton-enhanced Recombination in Silicon at High Concentrations of Charge Carriers. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2000.
MLA (8th ed.) CitationSachenko, A.V, et al. Exciton-enhanced Recombination in Silicon at High Concentrations of Charge Carriers. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2000.
Warning: These citations may not always be 100% accurate.