Exciton-enhanced recombination in silicon at high concentrations of charge carriers

Exciton-enhanced recombination in silicon at high concentrations of charge carriers

The interrelation between processes of electron-hole recombination and annihilation of excitons in silicon is examined. It is shown, that recombination processes can be essentially influenced by the exciton annihilation at high concentrations of non-equilibrium or equilibrium charge carriers. In n-t...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2000
Автори:	Sachenko, A.V., Gorban, A.P., Kostylyov, V.P.
Формат:	Стаття
Мова:	English
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2000
Назва видання:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Exciton-enhanced recombination in silicon at high concentrations of charge carriers / A.V. Sachenko, A.P. Gorban, V.P. Kostylyov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2000. — Т. 3, № 1. — С. 5-10. — Бібліогр.: 28 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Exciton-enhanced recombination in silicon at high concentrations of charge carriers
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2000)

Efficiency limit for diffusion silicon solar cells at concentrated illumination
за авторством: Gorban, A.P., та інші
Опубліковано: (1999)

Efficiency limit for diffusion silicon solar cells at concentrated illumination
за авторством: Gorban, A.P., та інші
Опубліковано: (1999)

The influence of the exciton non-radiative recombination in silicon on the photoconversion efficiency. 1. Long Shockley–Read–Hall lifetimes
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2016)

The influence of the exciton non-radiative recombination in silicon on the photoconversion efficiency. 1. Long Shockley–Read–Hall lifetimes
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2016)

Effect of excitons on photoconversion efficiency in the p⁺-n-n⁺- and n⁺-p-p⁺-structures based on single-crystalline silicon
за авторством: Gorban, A.P., та інші
Опубліковано: (2000)

Effect of excitons on photoconversion efficiency in the p⁺-n-n⁺- and n⁺-p-p⁺-structures based on single-crystalline silicon
за авторством: Gorban, A.P., та інші
Опубліковано: (2000)

Exciton effects in band-edge electroluminescence of silicon barrier structures
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2004)

Exciton effects in band-edge electroluminescence of silicon barrier structures
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2004)

Effect of emitter proprties on the conversion efficiency of silicon solar cells
за авторством: Gorban, A.P., та інші
Опубліковано: (1999)

Effect of emitter proprties on the conversion efficiency of silicon solar cells
за авторством: Gorban, A.P., та інші
Опубліковано: (1999)

The influence of the exciton non-radiative recombination in silicon on the photoconversion efficiency. 1. The case of a long Shockley–Read–Hall lifetime
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2016)

Features in the formation of a recombination current in the space charge region of silicon solar cells
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2016)

Influence of non-radiative exciton recombination in silicon on photoconversion efficiency. 2. Short Shockley-Read-Hall lifetimes
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2017)

Analysis of features of recombination mechanisms in silicon solar cells
за авторством: Korkishko, R.M., та інші
Опубліковано: (2014)

Analysis of features of recombination mechanisms in silicon solar cells
за авторством: Korkishko, R.M., та інші
Опубліковано: (2014)

Charge carrier mobility in the configuration restructuring divacancies in silicon
за авторством: A. P. Dolgolenko
Опубліковано: (2014)

Dependence of minority charge carriers lifetime on point defects type and their concentration in single-crystal silicon
за авторством: Zaitsev, R.V., та інші
Опубліковано: (2011)

Dependence of minority charge carriers lifetime on point defects type and their concentration in single-crystal silicon
за авторством: Zaitsev, R.V., та інші
Опубліковано: (2011)

Avalanche multiplication of charge carriers in nanostructured porous silicon
за авторством: Timokhov, D.F., та інші
Опубліковано: (2003)

Avalanche multiplication of charge carriers in nanostructured porous silicon
за авторством: Timokhov, D.F., та інші
Опубліковано: (2003)

Recombination of charge carriers in heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100)
за авторством: Kondratenko, S.V.
Опубліковано: (2015)

Recombination of charge carriers in heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100)
за авторством: S. V. Kondratenko
Опубліковано: (2015)

Recombination of charge carriers in heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100)
за авторством: Kondratenko, S.V.
Опубліковано: (2015)

Influence of nanostructured ITO films on surface recombination processes in silicon solar cells
за авторством: Kostylyov, V.P., та інші
Опубліковано: (2015)

Influence of nanostructured ITO films on surface recombination processes in silicon solar cells
за авторством: Kostylyov, V.P., та інші
Опубліковано: (2015)

Features in the formation of a recombination current in the space charge region of silicon solar cells
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2016)

Analysis of features of recombination mechanisms in silicon solar cells
за авторством: R. M. Korkishko, та інші
Опубліковано: (2014)

The influence of charge carrier relaxation on spectra of donor-acceptor recombination taking into account Coulomb correlations
за авторством: N. A. Bogoslovskij, та інші
Опубліковано: (2019)

Recombination of non-equilibrium charge carriers injected into Ge through intermediate defective layer
за авторством: Nadtochiy, V., та інші
Опубліковано: (2005)

Recombination of non-equilibrium charge carriers injected into Ge through intermediate defective layer
за авторством: Nadtochiy, V., та інші
Опубліковано: (2005)

Characteristics of confined exciton states in silicon quantum wires
за авторством: Korbutyak, D.V., та інші
Опубліковано: (2003)

Characteristics of confined exciton states in silicon quantum wires
за авторством: Korbutyak, D.V., та інші
Опубліковано: (2003)

Influence of nanostructured ITO films on surface recombination processes in silicon solar cells
за авторством: V. P. Kostylyov, та інші
Опубліковано: (2015)

Influence of surface centers on the effective surface recombination rate and the parameters of silicon solar cells
за авторством: V. P. Kostylyov, та інші
Опубліковано: (2013)

Evaluation of the efficiency of interband radiative recombination in high quality Si
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (1999)

Evaluation of the efficiency of interband radiative recombination in high quality Si
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (1999)

Characteristics of the dependences of mobility and concentration of charge carriers in monocrystals CdSb(In) after γ-irradiation
за авторством: Fedosov, A.V., та інші
Опубліковано: (2007)

Characteristics of the dependences of mobility and concentration of charge carriers in monocrystals CdSb(In) after γ-irradiation
за авторством: Fedosov, A.V., та інші
Опубліковано: (2007)

Reduction of recombination losses in near-surface diffusion emitter layers of photosensitive silicon n+-p-p+ structures
за авторством: V. P. Kostylyov, та інші
Опубліковано: (2023)