Vlaskina, S., Mishinova, G., Vlaskin, V., Rodionov, V., & Svechnikov, G. (2015). External impacts on SiC nanostructures in pure and lightly doped silicon carbide crystals. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Vlaskina, S.I, G.N Mishinova, V.I Vlaskin, V.E Rodionov, та G.S Svechnikov. External Impacts on SiC Nanostructures in Pure and Lightly Doped Silicon Carbide Crystals. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2015.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Vlaskina, S.I, et al. External Impacts on SiC Nanostructures in Pure and Lightly Doped Silicon Carbide Crystals. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2015.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.