Подавление тепловыми флуктуациями пика дифференциальной туннельной проводимости фазово-когерентной двухслойной системы
При низких температурах в полупроводниковых гетероструктурах с двумя близко расположенными электронными слоями наблюдается высокий узкий пик межслоевой дифференциальной туннельной проводимости. Этот пик является следствием межслоевой фазовой когерентности, которая устанавливается в системе благод...
Saved in:
| Date: | 2005 |
|---|---|
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2005
|
| Series: | Физика низких температур |
| Subjects: | |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Подавление тепловыми флуктуациями пика дифференциальной туннельной проводимости фазово-когерентной двухслойной системы / А.И. Безуглый // Физика низких температур. — 2005. — Т. 31, № 10. — С. 1153-1157. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Summary: | При низких температурах в полупроводниковых гетероструктурах с двумя близко расположенными
электронными слоями наблюдается высокий узкий пик межслоевой дифференциальной
туннельной проводимости. Этот пик является следствием межслоевой фазовой когерентности,
которая устанавливается в системе благодаря бозе-конденсации межслоевых экситонов,
т.е. пар из электрона и дырки, принадлежащих разным слоям. Показано, что повышение температуры
сглаживает пик туннельной проводимости в результате увеличения флуктуаций межслоевого
напряжения. Полученная зависимость высоты пика от температуры согласуется с экспериментом. |
|---|