Моделирование кристаллического поля и исследование ЯМР ¹⁹F в ван-флековском парамагнетике EuF₃
В порошковом образце ван-флековского парамагнетика EuF₃ в широком диапазоне температур (55–300 К) измерена температурная зависимость скорости ядерной спин-решеточной релаксации ¹⁹F. Наблюдаемое при T > 100 К увеличение скорости ядерной релаксации обусловлено флуктуациями магнитных полей, индуциир...
Saved in:
| Date: | 2015 |
|---|---|
| Main Authors: | , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2015
|
| Series: | Физика низких температур |
| Subjects: | |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Моделирование кристаллического поля и исследование ЯМР ¹⁹F в ван-флековском парамагнетике EuF₃ / А.В. Савинков, А.В. Дуглав, Б.З. Малкин, М.С. Тагиров, С.Л. Кораблева // Физика низких температур. — 2015. — Т. 41, № 1. — С. 75-80. — Бібліогр.: 19 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Summary: | В порошковом образце ван-флековского парамагнетика EuF₃ в широком диапазоне температур (55–300 К) измерена температурная зависимость скорости ядерной спин-решеточной релаксации ¹⁹F. Наблюдаемое при T > 100 К увеличение скорости ядерной релаксации обусловлено флуктуациями магнитных полей, индуциируемых на ядрах фтора магнитными моментами ионов европия с временем жизни, определяе- мым двухфононными процессами релаксации с участием первого возбужденного состояния электронной оболочки ионов Eu³⁺ (Δ1 = 370 К). Набор параметров кристаллического поля, позволяющий удовлетво- рительно описать электронный энергетический спектр иона Eu³⁺ в кристалле EuF₃, вычислен в рамках полуфеноменологической модели обменных зарядов. |
|---|