Низкотемпературная инверсия магнитосопротивления в зарядово-упорядоченных слоистых сверхструктурах
Определена неосциллирующая по магнитному полю часть магнитосопротивления слоистых зарядово-упорядоченных кристаллов при условии, что время релаксации носителей заряда обратно пропорционально их плотности состояний. Доказана возможность инверсии магнитосопротивления в зависимости от концентрации носи...
Збережено в:
| Дата: | 2002 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2002
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Теми: | |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Низкотемпературная инверсия магнитосопротивления в зарядово-упорядоченных слоистых сверхструктурах / П.В. Горский // Физика низких температур. — 2002. — Т. 28, № 10. — С. 1072-1077. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
oai:nasplib.isofts.kiev.ua:123456789-128707 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
oai:nasplib.isofts.kiev.ua:123456789-1287072025-02-23T17:11:25Z Низкотемпературная инверсия магнитосопротивления в зарядово-упорядоченных слоистых сверхструктурах Low-temperature inversion of the magnetoresistance in charge-ordered layered superstructures Горский, П.В. Низкоразмерные и неупорядоченные системы Определена неосциллирующая по магнитному полю часть магнитосопротивления слоистых зарядово-упорядоченных кристаллов при условии, что время релаксации носителей заряда обратно пропорционально их плотности состояний. Доказана возможность инверсии магнитосопротивления в зависимости от концентрации носителей, температуры, магнитного поля и величины эффективного притягивающего взаимодействия, приводящего к зарядовому упорядочению. The nonoscillatory (with respect to magnetic field) part of the magnetoresistance of layered charge-ordered crystals is determined under the condition that the relaxation time of the charge carriers is inversely proportional to their density of states. It is demonstrated that inversion of the magnetoresistance can occur as a function of the carrier concentration, temperature, magnetic field, and value of the effective attractive interaction that leads to the charge ordering. Визначена неосцилююча відносно магнітного поля частина магнітоопору шаруватихзарядово-впорядкованих кристалів за умови, що час релаксації носіїв заряду оберненопропорційний до густини їх станів. Доведено можливість інверсії магнітоопору взалежності від концентрації носіїв, температури, магнітного поля і величини ефективноїпритягуючої взаємодії, що веде до зарядового впорядкування. 2002 Article Низкотемпературная инверсия магнитосопротивления в зарядово-упорядоченных слоистых сверхструктурах / П.В. Горский // Физика низких температур. — 2002. — Т. 28, № 10. — С. 1072-1077. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 72.20.My, 71.30.+h https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/128707 ru Физика низких температур application/pdf Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Низкоразмерные и неупорядоченные системы Низкоразмерные и неупорядоченные системы |
| spellingShingle |
Низкоразмерные и неупорядоченные системы Низкоразмерные и неупорядоченные системы Горский, П.В. Низкотемпературная инверсия магнитосопротивления в зарядово-упорядоченных слоистых сверхструктурах Физика низких температур |
| description |
Определена неосциллирующая по магнитному полю часть магнитосопротивления слоистых зарядово-упорядоченных кристаллов при условии, что время релаксации носителей заряда обратно пропорционально их плотности состояний. Доказана возможность инверсии магнитосопротивления в зависимости от концентрации носителей, температуры, магнитного поля и величины эффективного притягивающего взаимодействия, приводящего к зарядовому упорядочению. |
| format |
Article |
| author |
Горский, П.В. |
| author_facet |
Горский, П.В. |
| author_sort |
Горский, П.В. |
| title |
Низкотемпературная инверсия магнитосопротивления в зарядово-упорядоченных слоистых сверхструктурах |
| title_short |
Низкотемпературная инверсия магнитосопротивления в зарядово-упорядоченных слоистых сверхструктурах |
| title_full |
Низкотемпературная инверсия магнитосопротивления в зарядово-упорядоченных слоистых сверхструктурах |
| title_fullStr |
Низкотемпературная инверсия магнитосопротивления в зарядово-упорядоченных слоистых сверхструктурах |
| title_full_unstemmed |
Низкотемпературная инверсия магнитосопротивления в зарядово-упорядоченных слоистых сверхструктурах |
| title_sort |
низкотемпературная инверсия магнитосопротивления в зарядово-упорядоченных слоистых сверхструктурах |
| publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| publishDate |
2002 |
| topic_facet |
Низкоразмерные и неупорядоченные системы |
| citation_txt |
Низкотемпературная инверсия магнитосопротивления в зарядово-упорядоченных слоистых сверхструктурах / П.В. Горский // Физика низких температур. — 2002. — Т. 28, № 10. — С. 1072-1077. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
| series |
Физика низких температур |
| work_keys_str_mv |
AT gorskijpv nizkotemperaturnaâinversiâmagnitosoprotivleniâvzarâdovouporâdočennyhsloistyhsverhstrukturah AT gorskijpv lowtemperatureinversionofthemagnetoresistanceinchargeorderedlayeredsuperstructures |
| first_indexed |
2025-07-22T04:09:33Z |
| last_indexed |
2025-07-22T04:09:33Z |
| _version_ |
1838318746965377024 |